1 微光夜视技术重点实验室， 西安70065
2 长春理工大学 理学院， 长春1300
导电玻璃作为基底水热法生长了WO3纳米棒，通过电沉积法改变沉积Pt的时间（40 s，80 s，120 s），以WO3纳米棒为基底沉积得到不同的WO3/Pt复合薄膜样品。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜等测试手段将WO3纳米棒薄膜和WO3/Pt复合薄膜样品进行表征。结果表明成功制备了WO3/Pt复合薄膜样品。漫反射结果显示WO3/Pt复合薄膜与WO3薄膜相比具有更强的光吸收。交流阻抗谱显示WO3/Pt复合薄膜与WO3纳米棒薄膜相比增强了电荷转移效率。利用光电流、光电催化对WO3/Pt复合薄膜进行光电性能测试，结果表明WO3/Pt复合薄膜相较于单一WO3薄膜光电流活性更高和光电催化活性更强，并且沉积时间为80 s的WO3/Pt复合薄膜显示最为优异的光电流和光电催化性能。同时，沉积时间为80 s的WO3/Pt复合薄膜的光电催化性能优于其光催化和电催化性能。
1 微光夜视技术重点实验室，陕西 西安 710065
2 昆明物理研究所，云南 昆明 650223
3 陆装驻西安地区第八军代室，陕西 西安 710065
荧光屏余辉在高帧频速光子计数等系统应用中起着决定性作用。GJB 7351-2011《超二代像增强器通用规范》荧光屏余辉试验方法中规定光脉冲作为激励源，该方法中光脉冲激励源停止后光源照度下降缓慢，造成在短余辉粉（μs级）和中余辉粉（ms级）的余辉时间测量中测试结果不准。针对该问题，提出了一种在光照持续工作状态下，用光电阴极电压脉冲信号作为激励源的荧光屏余辉测试方法，该方法中光电阴极超快响应时间（一般为1 ns左右）和脉冲电压信号的较短边沿时间（一般可控制在10 ns以内）特性改善了激励源自身时间响应对荧光屏余辉测试结果准确性带来的影响。基于该方法建立了一套微光像增强器荧光屏余晖测量装置，对P31荧光粉的国产三代微光像增强器余辉进行了重复性测量，对测量不确定度进行了误差分析，其扩展不确定度为3.2%，达到了传统光电测试仪器的准确度要求，可满足微光像增强管荧光屏余辉测量的要求。该研究成果为更高性能产品提供了一种检测手段。
微光像增强管 激励源 荧光屏余辉 脉冲信号 误差 LLL image intensifier tube excitation source fluorescent screen afterglow pulse source error
1 微光夜视技术重点实验室，陕西 西安 710065
2 昆明物理研究所，云南 昆明 650223
建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究III族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型，利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱附量随时间变化的表达式。为便于直观研究，通过截取四阶近似给出不同扩散系数量级下的以上参量随时间的变化曲线。在III族氮化物光电阴极TPD动态法实验中，研究并分析了光电阴极部件在不同恒温除气阶段的残余气体谱图，由此得出进入真空中的脱附气体种类。采用最小二乘法拟合得到: 恒温1 000 K的条件下，N2的扩散系数为5×10-5 cm2/s。通过理论分析结合TPD实验，III族氮化物光电阴极部件热清洗的有效去除污染加热温度得到了有效的评估和验证。
III族氮化物光电阴极部件 程序升温脱附 残余气体谱 Ⅲ-nitride photocathode assembly temperature programmed desorption residual gas spectrum 红外与激光工程
2019, 48(10): 1017002
西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室， 陕西 西安 710065
通过研究GaAs半导体材料厚度对量子效率的影响入手，提出一种利用分光光度计直接测量多层半导体厚度的新方法。根据光学干涉原理，将分光光度计测量出的反射率波谷值代入编写的JAVA程序进行计算，从而可直接得出多层半导体材料厚度，使用该方法得到的半导体层厚度误差＜9%，满足测试精度要求。此方法可用于半导体外延片材料分析、工艺提高以及批量无损测量。
多层半导体材料 激活层 分光光度计 砷化镓 multilayer semiconductor material active layer spectrophotometer GaAs
