本文对在等离子体刻蚀工艺中, 功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀, 并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa, 功率在5 500~6 500 W的参数区间, a-Si刻蚀均一性波动不大, 适合工业化生产。a-Si刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感, SF6∶HCl=800∶2 800 mL/min时a-Si刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显, 有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏a-Si刻蚀的均一性。
等离子体刻蚀 均一性 排气方式 plasma etching a-Si a-Si uniformity exhaust mode
聊城大学物理科学与信息工程学院 山东 聊城 252059
研究的系统为双模压缩真空态和玻色－爱因斯坦凝聚体相互作用体系，在双光子跃迁过程中，分别用量子约化熵和量子相对熵研究了该系统中的双模压缩真空态与凝聚体间的纠缠以及双模压缩真空态的模间纠缠，分析了光场初始压缩因子、原子间相互作用对场－凝聚体间纠缠和模间纠缠的影响。
量子光学 玻色－爱因斯坦凝聚 双模压缩真空态 量子纠缠 量子约化熵 量子相对熵 quantum optics Bose-Einstein condensate two-mode squeezed vacuum state quantum entanglement quantum reduced entropy quantum relative entropy
聊城大学物理科学与信息工程学院, 聊城 252059
研究了高Q腔中具有偶极相互作用的两个等同二能级原子与双模二项式光场相互作用过程的腔场谱,重点研究了两模腔场谱的干涉效应对谱结构的影响。结果表明:两模光场平均场强相等时,每模腔场谱一般出现对称多峰结构。随着初始场强的增加中间3峰趋于ωi和ωi±0.7g处,而边峰消失。当两模初始场的频率差Δ大于6g(g为原子与腔场的耦合常量)时,两模间的干涉效应可以忽略;在Δ小于6g时,模间的干涉效应对腔场谱结构有明显的影响;尤其当Δ从1.4g逐渐减少时,模Ⅰ和模Ⅱ的三个主峰开始逐渐重叠,两模腔场谱之间出现了十分明显的干涉现象。
量子光学 腔场谱 双模二项式光场 等同双原子
