本文对在等离子体刻蚀工艺中, 功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀, 并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa, 功率在5 500~6 500 W的参数区间, a-Si刻蚀均一性波动不大, 适合工业化生产。a-Si刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感, SF6∶HCl=800∶2 800 mL/min时a-Si刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显, 有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏a-Si刻蚀的均一性。
等离子体刻蚀 均一性 排气方式 plasma etching a-Si a-Si uniformity exhaust mode
