1 浙江海洋学院物理系, 浙江 舟山 316000
2 厦门大学物理系, 福建 厦门 361005
采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层可以减小InAs量子点所受的应力、降低位错及缺陷的产生, 使发光峰强度增大。但x值过大(x≥0.3)将导致材料质量降低, 产生多峰结构。随着温度升高, 载流子在GaAs势垒层和量子点之间迁移, 而介面势垒阻碍载流子的迁移。研究了InAs量子点的时间分辨谱, 发现了覆盖低In组分InGaAs层及AlAs层的量子点发光衰退谱符合双指数衰退规律, 分析了不同量子点的发光具有不同衰退规律的原因。
薄膜 应力缓冲层 时间分辨光致发光谱 InAs量子点
1 厦门大学物理系,福建,厦门,361005
2 厦门大学萨本栋微机电中心,福建,厦门,361005
采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好.样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差;Ag、Cr的SBH在退火后降低.SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11.
光电子学 Schottky势垒高度 退火 optoelectronics 4H-SiC 4H-SiC Schottky barrier height annealing
1 厦门大学物理系,厦门,361005
2 中国科学院半导体所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.
InAs量子点 浸润层 时间分辨谱 InAs quantum dots wetting layer time-resolved spectrum
1 厦门大学物理系,厦门,361005
2 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200030
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.
表面光伏谱 应变量子阱 形变势模型 photovoltaic spectrum strained quantum well distortion model
