作者单位
摘要
1 中国传媒大学 数据科学与智能媒体学院, 北京 100024
2 河北大学 工商学院, 河北 保定 071002
采用高温固相法制备了一系列Tb3+、Sm3+和Tb3+/Sm3+掺杂的Ca9Al(PO4)7荧光粉。采用X射线衍射技术、光谱及荧光寿命等手段表征了材料的性能。以Tb3+的380 nm激发峰作为激发源时, 发现Ca9Al-(PO4)7∶Tb3+, Sm3+的发射光谱中既包含Tb3+的5D4-7F6-3跃迁发射, 又含有Sm3+的4G5/2-6H5/2-9/2跃迁发射。当增加Sm3+的掺杂量时, 基于Tb3+-Sm3+间的能量传递, 有效地增加了Ca9Al(PO4)7∶Tb3+,Sm3+的发射强度, 能量传递的机理是电偶极-电偶极相互作用。另外, Ca9Al(PO4)7∶Tb3+,Sm3+的量子效率可以达到50.6%。上述结果表明, Ca9Al(PO4)7∶Tb3+,Sm3+材料在紫外-近紫外白光LEDs领域具有一定的潜在应用价值。
发光 荧光粉 能量传递 luminescence phosphor energy transfer Ca9Al(PO4)7∶Tb3+,Sm3+ Ca9Al(PO4)7∶Tb3+,Sm3+ 
发光学报
2019, 40(12): 1469
作者单位
摘要
1 中国传媒大学理学院光电学系, 北京 100024
2 河北大学物理科学与技术学院, 河北 保定 071002
3 河北大学工商学院, 河北 保定 071000
采用高温固相法制备了一种近紫外和蓝光激发型Ca2BO3ClEu2+黄色发光材料。以460 nm蓝色光为激发源,测得Ca2BO3ClEu2+材料的发射光谱为一单峰宽谱,主峰位于573 nm;监测573 nm发射峰,所得激发光谱覆盖300~500 nm,主峰位于413 nm和475 nm。通过改变Eu2+的掺杂量,研究了材料的晶体结构及发射强度等的变化情况。研究结果显示,Eu2+的掺杂并未影响材料的晶体结构;但发射强度却发生了很大的变化,Eu2+的摩尔分数为2%时,强度最大;利用Dexter理论对Eu2+在Ca2BO3Cl中的浓度淬灭机理进行了研究,得出其为电偶极电偶极相互作用。
材料 发光 浓度淬灭 
中国激光
2011, 38(s1): s106004
作者单位
摘要
河北大学 物理科学与技术学院学院, 河北 保定071002
采用溶胶-燃烧法合成了Tb3+掺杂的SrMoO4荧光粉并研究了它的发光性能。X射线衍射(XRD)显示, 前驱物在750 ℃下灼烧3 h得到的样品为纯相的SrMoO4。样品的激发谱由一宽带和一组窄峰组成, 其中激发强度较强的峰位于288 nm和375 nm。发射谱由4组窄带组成, 其中最强峰位于548 nm。对于548 nm(5D4→7F5 )发射峰, 最佳的Tb3+ 掺杂摩尔分数为0.05, 其浓度猝灭机理为Tb3+ 离子的电偶极-电偶极相互作用。当尿素用量为理论用量的3倍时, 发光强度最强。最佳烧结温度为750 ℃, 最佳烧结时间为3 h。当Tb3+摩尔分数为0.05时, 样品发光的CIE色坐标为(0.279 4, 0.565 2)。结果表明, Tb3+ 激活的SrMoO4是一种较好可应用于白光LED的紫外激发的绿光发光材料。
钼酸锶 溶胶-燃烧法 绿色荧光 Tb3+ Tb3+ SrMoO4 sol-combustion method green phosphor 
发光学报
2011, 32(8): 779
作者单位
摘要
1 河北大学 工商学院, 河北 保定071002
2 河北大学 物理科学与技术学院, 河北 保定071002
采用燃烧法合成了SrIn2O4∶Sm3+红色荧光粉并研究了其发光性质。发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别为568,606,660 nm,对应Sm3+的4G5/2 →6H5/2、4G5/2 →6H7/2和4G5/2 →6H9/2特征跃迁发射,其中606 nm的发射最强。激发光谱包括峰值位于323,413 nm的宽带,说明该荧光粉可以被近紫外-紫色发光二极管管芯激发发射红光。研究了Sm3+的掺杂浓度对样品发光强度的影响。实验结果表明SrIn2O4∶Sm3+是一种可用于制作白光LED的红色荧光粉。
荧光粉 LED LED phosphor Sm3+ Sm3+ SrIn2O4 SrIn2O4 
发光学报
2011, 32(1): 38
作者单位
摘要
1 中国传媒大学 理学院光电学系,北京 100024
2 河北大学 工商学院,河北 保定 071000
3 河北大学 物理科学与技术学院,河北 保定 071002
采用复合基质材料ZnS 和CdS,制备了一系列黄色(Zn,Cd)S:Cu,Cl 粉末交流电致发光材料,利用微波吸收介电法分别测量了7 种(Zn,Cd)S:Cu,Cl 材料样品的光电子衰减过程。发现随着CdS 含量的增加,自由光电子寿命和浅束缚电子的寿命都有减小的趋势。分析认为发光材料基质中加入CdS 后,使导带底下降,改变了晶体的禁带宽度,使导带电子与价带空穴的复合几率增大,从而使光电子和浅束缚电子寿命缩短。但由于受到浅陷阱的束缚,浅束缚电子的寿命长于导带的自由电子寿命。
材料 光电子寿命 微波吸收 
激光与光电子学进展
2010, 47(4): 041601

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