报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒) 量子阱为有源区的[1.31 μm]TM偏振高速激光器。以1% 张应变的 In0.49Ga0.51As0.79P0.21作为阱层，0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层，计算了由不同势垒带隙（1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 eV）构成的五种多量子阱的发光特性，和由其构成的激光器的器件特性。数值模拟分析表明，采用适度小的势垒带隙，既能将载流子有效限制在有源区，又可以得到载流子在量子阱间的均匀分布，从而改善量子阱的发光特性和激光器的性能参数。该仿真对研制低阈值电流、高特征温度和大调制带宽的InGaAsP/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器具有指导意义。