报道了一种以InGaAsP(阱)/InGaAlAs(垒) 量子阱为有源区的[1.31 μm]TM偏振高速激光器。以1% 张应变的 In0.49Ga0.51As0.79P0.21作为阱层，0.5%压应变的InGaAlAs作为垒层，计算了由不同势垒带隙（1.309、1.232、1.177、1.136、1.040 eV）构成的五种多量子阱的发光特性，和由其构成的激光器的器件特性。数值模拟分析表明，采用适度小的势垒带隙，既能将载流子有效限制在有源区，又可以得到载流子在量子阱间的均匀分布，从而改善量子阱的发光特性和激光器的性能参数。该仿真对研制低阈值电流、高特征温度和大调制带宽的InGaAsP/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器具有指导意义。

采用金属有机化学气相沉积技术, 利用自催化法, 在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面, 在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似, 纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构, 结果显示纳米线具有闪锌矿结构, 生长方向〈111〉, 并且具有层状孪晶结构。与InP体材料相比, 纳米线的光致发光峰位蓝移, 半峰全宽增大, 拉曼散射TO和LO峰向低波数频移, 频移随激发光功率减弱而减小。

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13~300 K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律。