1 山东华光光电子有限公司， 山东 济南 250101
2 山东大学晶体材料国家重点实验室， 山东 济南 250100
针对半导体激光器的能量损耗情况，设计优化了半导体激光器的结构，改进了材料的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长条件。采用低压MOCVD外延技术生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP应变量子阱大光腔结构，进而设计制作了808 nm大功率连续激光器芯片。25 ℃下，当输入电流10 A时，输出功率超过11.5 W，最大电光转换效率约62%。对5 W输出功率的808 nm激光器进行了老化实验，1000 h衰减小于2%。
半导体激光器 电光转换效率 低压金属有机化学气相沉积 光学学报
2011, 31(s1): s100308
1 中国科学院激发态物理重点实验室, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院 研究生院, 北京100049
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13~300 K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律。
低压金属有机化学气相沉积 应力 变温光致发光 InAsxP1-x/InP InAsxP1-x/InP LP-MOCVD stress variable-temperature photoluminescence
