为了实现在8寸化学机械抛光设备上进行小尺寸镀铜InP晶圆的减薄抛光工作，提高设备的兼容性，缩减工艺步骤，减少过多操作导致InP晶圆出现裂纹暗伤和表面颗粒增加等问题，自制特殊模具，使小尺寸InP晶圆在8寸化学机械抛光设备上进行加工，再根据InP晶圆易碎的缺陷问题，通过调整设备的抛光头压力、转速和抛光垫的转速等相关工艺参数，使其满足后续键合工艺的相关需求。实验结果表明：在使用特殊模具下，当抛光头的压力调整为20.684 kPa、抛光头与抛光垫的转速分别为：93 r/min和87 r/min时，InP晶圆的表面粗糙度达到：R_a≤1 nm；表面铜层的去除速率达到3 857×10^-10/min；后续与8寸晶圆的键合避免键合位置出现空洞等缺陷，实现2寸InP晶圆在8寸设备上的CMP工艺，大大降低了CMP工艺成本，同时避免晶圆在转移过程中出现表面颗粒度增加和划伤的情况，实现了InP晶圆与Si晶圆的异质键合及Cu互连工艺。

采用氢氟酸（HF）原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明，HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态，有效控制了InP核表面的氧化，并且原子配体形式的F^-钝化了量子点表面的悬挂键，显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能，PLQY高达96%。此外，用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管，其发光的电流效率为6.63 cd/A，最佳外量子效率（EQE）为3.83%。

提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法，该方法利用了特殊偏置点（V_gs > V_th，V_ds = 0 V）的等效电路模型，推导了寄生电阻的表达式，采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致，证明该方法是有效的。

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）对近红外光具有高敏感度，使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂，厚度尺寸从量子点到几微米不等，性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延（MBE）技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In0.53Ga0.47As薄膜和APD结构材料。实验结果表明，As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势，可获得陡直明锐的异质结界面，降低载流子浓度，提高霍尔迁移率，延长少子寿命，并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此，As脱氧可以有效提高MBE材料的质量，这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。

对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器（SPADs）进行了总剂量为10 krad（Si）和20 krad（Si）的γ辐照，并进行了原位和移位测试。辐照后，暗电流和暗计数率有轻微的下降，而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后，这些退化基本恢复，这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。

作为传统显示器强有力的竞争者之一，量子点发光二极管（QLED）在显示领域备受关注。然而，高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅，这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利，也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此，高质量无镉无铅型蓝光量子点材料的研发成为推动新型显示产业发展的动力和业界迫切追求的目标。历经数十年发展，InP和ZnSe等无镉无铅量子点材料的蓝光发射性能已取得较大进步，随着合成策略及蓝光材料的进一步优化改进，环境友好型蓝光量子点发光二极管器件性能有望追上传统红、绿光量子点器件的步伐。本文分别从合成优化手段、表面包覆策略、核壳结构类型、发光性能参数等方面进行汇总，系统综述了当前无镉无铅型蓝光InP和ZnSe量子点材料的研究进展，指出了QLED蓝光材料未来的发展方向。

Miniaturized light sources at telecommunication wavelengths are essential components for on-chip optical communication systems. Here, we report the growth and fabrication of highly uniform p-i-n core-shell InGaAs/InP single quantum well (QW) nanowire array light emitting diodes (LEDs) with multi-wavelength and high-speed operations. Two-dimensional cathodoluminescence mapping reveals that axial and radial QWs in the nanowire structure contribute to strong emission at the wavelength of ~1.35 and ~1.55 μm, respectively, ideal for low-loss optical communications. As a result of simultaneous contributions from both axial and radial QWs, broadband electroluminescence emission with a linewidth of 286 nm is achieved with a peak power of ~17 μW. A large spectral blueshift is observed with the increase of applied bias, which is ascribed to the band-filling effect based on device simulation, and enables voltage tunable multi-wavelength operation at the telecommunication wavelength range. Multi-wavelength operation is also achieved by fabricating nanowire array LEDs with different pitch sizes on the same substrate, leading to QW formation with different emission wavelengths. Furthermore, high-speed GHz-level modulation and small pixel size LED are demonstrated, showing the promise for ultrafast operation and ultracompact integration. The voltage and pitch size controlled multi-wavelength high-speed nanowire array LED presents a compact and efficient scheme for developing high-performance nanoscale light sources for future optical communication applications.