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γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响
孙京华 1王文娟 2,*诸毅诚 2,3郭子路 2,3[ ... ]徐卫明 4
作者单位
摘要
1 上海理工大学 材料与化学学院，上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
3 中国科学院大学，北京 100049
4 中国科学院上海技术物理研究所 空间主动光电技术重点实验室，上海 200083
5 中国科学院大学杭州高等研究院，浙江 杭州 310024
对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器（SPADs）进行了总剂量为10 krad（Si）和20 krad（Si）的γ辐照，并进行了原位和移位测试。辐照后，暗电流和暗计数率有轻微的下降，而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后，这些退化基本恢复，这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。
γ辐照 InGaAsP/InP 单光子雪崩探测器 单光子性能 Gamma irradiation InGaAsP/InP single-photon avalanche diode single-photon performance 
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红外与毫米波学报
2024, 43(1): 44
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