作者单位
摘要
1 上海理工大学 材料与化学学院,上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
3 中国科学院大学,北京 100049
4 中国科学院上海技术物理研究所 空间主动光电技术重点实验室,上海 200083
5 中国科学院大学杭州高等研究院,浙江 杭州 310024
对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。
γ辐照 InGaAsP/InP 单光子雪崩探测器 单光子性能 Gamma irradiation InGaAsP/InP single-photon avalanche diode single-photon performance 
红外与毫米波学报
2024, 43(1): 44
刘长明 1,1,2,2史学舜 1,1,2,2,*张鹏举 1,1,2,2庄新港 1,1,2,2刘红博 1,1,2,2
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第四十一研究所, 山东 青岛 266555
2 国防科技工业光电子一级计量站, 山东 青岛 266555
针对硅单光子雪崩探测器探测效率高准确度测量的需要,建立了一套溯源至标准探测器的硅单光子探测器探测效率测量装置.首先通过大动态范围高精度衰减产生光子数已知的准单光子源来校准探测器的探测效率,其次对影响探测效率测量的后脉冲概率和死时间进行了分析与测量,最后系统分析了各测量不确定度的来源,实现了硅单光子雪崩探测器在632.8nm波长处探测效率测量不确定度达到0.6%(k=2).该装置采用超连续谱光源与单色仪组合输出单色光源,结合标准探测器,可根据需要实现硅单光子雪崩探测器宽波段内的探测效率自动化测量.
单光子雪崩探测器 探测效率 后脉冲 死时间 标准探测器 Silicon single-photon avalanche detector Detection efficiency Afterpulsing Dead time Standard detector 
光子学报
2019, 48(12): 1248006

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