模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展, 包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式, 弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响, 以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化, 且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关。将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合, 可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型, 从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求。
超薄柔性芯片 弯曲应力效应 压阻系数 器件建模 ultrathin flexible chip bending stress effect MOSFET MOSFET piezoresistive coefficient device modelling
华东师范大学 信息科学技术学院, 上海 200241
介绍了一种可以用于频率高达110 GHz 的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法, 并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合, 将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2~110 GHz频率范围内S参数吻合很好.
等效电路模型 异质结双极晶体管 器件建模 equivalent circuits heterojunction bipolar transistor(HBT) device modeling
