华东师范大学 信息科学技术学院, 上海 200241
介绍了一种可以用于频率高达110 GHz 的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法, 并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合, 将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2~110 GHz频率范围内S参数吻合很好.
等效电路模型 异质结双极晶体管 器件建模 equivalent circuits heterojunction bipolar transistor(HBT) device modeling
根据 HgCdTe材料特性和 p-on-n HgCdTe红外探测器结构, 建立了 p-on-n HgCdTe红外探测器三维数理模型。通过对三维理论模型的求解, 得到探测器内部载流子的输运特性, 实现了对不同波段、不同工作温度 p-on-n HgCdTe红外探测器探测率的理论计算。计算结果表明: p-on-n HgCdTe红外探测器优异的高灵敏度和高温特性, 能在红外短波、中波和长波 3个波段上全面满足未来红外系统对高性能红外探测器的需求。
器件模型 理论计算 红外探测器 高性能红外系统 p-on-n p-on-n HgCdTe HgCdTe device modeling theoretical calculation infrared detector high-end infrared system
