1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
2 中国科学院大学,北京 100049
3 上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210
4 上海量子科学研究中心,上海 201315
5 复旦大学 应用表面物理国家重点实验室和物理学系,上海 200438
InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In0.53Ga0.47As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。
分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 铟镓砷/磷化铟雪崩光电二极管 molecular beam epitaxy P/As exchange heterointerface diffusion InGaAs/InP APD
1 上海师范大学 数理学院物理系,上海 200233
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
本文利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上外延CdTe(211)薄膜,系统研究不同工艺条件对CdTe 外延薄膜的表面形貌和光学性质的影响。研究表明,在一定的生长温度下,在Te气氛下生长CdTe薄膜,增加CdTe:Te的束流比,可显著降低CdTe表面金字塔缺陷的尺寸和密度,当CdTe 和Te束流比为6.5时,金字塔缺陷几乎消失,材料的表面平整度显著改善,X射线衍射(XRD)也表明CdTe晶体质量显著提高。进一步的拉曼光谱表明,随着CdTe和Te束流比的增加,Te的A1峰减弱,CdTe LO和TO声子峰强度比增强。低温光致发光光谱(PL)研究也表明随着CdTe和Te束流比的增加,Cd空位的减少可以使与杂质能级相关的深能级区域的峰强降低,与此同时和晶体质量相关的自由激子峰半峰宽减少,材料的光学质量明显改善。该研究为探索CdTe/GaAs外延材料的理想的工艺窗口以及相关机理,并为进一步以此为缓冲层外延高质量HgCdTe材料提供基础。
CdTe 分子束外延 表面缺陷 拉曼光谱 荧光光谱 CdTe molecular beam epitaxy surface defects Raman spectroscopy fluorescence spectroscopy
1 哈尔滨理工大学 电气与电子工程学院,黑龙江 哈尔滨 150080
2 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、V/III比和As分子束形态对In0.74Ga0.26As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明:适中的生长温度和V/III比可以提高材料晶格质量,减少非辐射复合,降低本底杂质浓度。As分子束为As2时In0.74Ga0.26As材料质量优于As4分子束。当生长温度为570 ℃,As分子束形态为As2,V/III比为18时,可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度,室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×1014 cm-3和4.0×1014 cm-3,迁移率分别达到13 400 cm2/Vs和45 160 cm2/Vs。
InGaAs 高铟组分 短波红外 分子束外延 迁移率 InGaAs high indium composition short-wave infrared molecular beam epitaxy(MBE) mobility
1 盐城工学院 材料工程学院, 江苏 盐城 224051
2 长春工业大学 材料科学高等研究院, 吉林 长春 130012
利用高温热分解法制备了LiLuF4∶Yb,Tm@LiGdF4核壳纳米晶。在980 nm激光激发下, 与未包覆的样品相比, LiLuF4∶Yb,Tm@LiGdF4核壳纳米晶的发光增强了15倍左右, 这主要是因为通过惰性壳层的包覆可以有效抑制表面猝灭效应。另外, 随着核中Yb3+离子的摩尔分数从20%增加到100%, 上转换发光强度逐渐增大, 最大增加了12.4倍左右。这主要是由于增加Yb3+离子的浓度可以增加纳米粒子对激发光的吸收和提高Yb3+到Tm3+的能量传递速率。所制备的LiYbF4∶2%Tm@LiGdF4核壳纳米晶的发光效率高达4%。
上转换发光 核壳纳米晶 掺杂浓度 upconversion luminescence core-shell nanoparticles LiLuF4 LiLuF4 doping concentration