深紫外(DUV)相干光源对于光刻技术、激光微加工、激光光谱仪等均具有重要的意义。KBe2BO3F2(KBBF)晶体是目前唯一可直接倍频产生深紫外激光的非线性光学晶体。本文通过分析KBBF 晶体的光学倍频特性，分别得到了 Nd:YVO4 激光2 倍频、4 倍频和6 倍频以及Ti:Sapphire 激光4 倍频输出的相关技术参数；在此基础上，详细分析了KBBF 晶体用于高斯光束的I 类和II 类倍频的转换效率。结果对于KBBF 晶体用于产生深紫外全固态激光(DPL)的实验研究提供了重要的理论依据。
非线性光学晶体 深紫外 倍频 转换效率 nonlinear optical crystal deep-ultraviolet KBBF KBBF second-harmonic generation (SHG) conversion efficiency
在建立高斯型重复脉冲激光辐照光学材料模型的基础上，得到了圆柱型光学材料的二维温度场和热应力的解析解．以K9玻璃为例，通过数值计算得到同条件下重复脉冲激光对光学材料的损伤阈值．研究表明：在高斯型重复脉冲激光辐照下，损伤阈值受到脉冲数目、宽度、重复频率以及脉冲激光光斑半径的影响，多数情况下K9玻璃会发生热应力损伤．
激光物理 脉冲激光 损伤阈值 高斯光束 Laser physics Pulse laser Damage threshold Gauss beam
1 军械工程学院,理化教研室,河北,石家庄,050003
2 军械工程学院,光学教研室,河北,石家庄,050003
在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4～5 s基本吻合.
热损伤 InSb(PV)型探测器 高斯光束 损伤阈值 Thermal damage InSb(PV) detector Gaussian beam Damage threshold
利用Sellmeier方程和计算机数值模拟计算,得出了CsLiB6O10(CLBO)晶体Ⅰ类和Ⅱ类相位匹配的调谐曲线及其调谐范围,并与β-BaB2O4(BBO)晶体进行了比较,从而得出CLBO晶体是一种优质的紫外透光波段宽的非线性晶体.
人工晶体 CsLiB6O 10晶体 角度调谐 相位匹配
