中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室, 北京 100083
报道了激射波长为2.1 μm 的GaInSb/AlGaAsSb双量子阱激光器。通过优化外延结构设计和欧姆接触, 无镀膜的宽条激光器达到了9.8%的峰值功率转换效率, 这比原来的值提高了1.5倍, 室温下得到了615 mW的连续激射功率输出和1.5 W的脉冲激射功率输出。这些激光器的阈值电流密度低至126 A/cm2, 斜率效率高达0.3 W/A。通过测试不同腔长的激光器, 测得内损耗和内量子效率分别为6 cm-1和75.5%, 均比原有器件有很大提升。激光器在连续工作3 000 h后, 功率没有明显下降。
激光器 功率转换效率 GaInSb/AlGaAsSb GaInSb/AlGaAsSb laser power conversion efficiency 红外与激光工程
2016, 45(5): 0505003
