作者单位
摘要
中国科学院上海光机所, 上海 201800
本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。
半导体激光 锁相列阵 
中国激光
1991, 18(8): 561
作者单位
摘要
87年初夏,日本松下电子工业公司和松下电子公司的几位研究人员访问了美国,并在半天的专家讨论会上介绍了该公司研究光电子学的计划。介绍包括激光二极管技术的发展和几个有关的领域。
激光与光电子学进展
1988, 25(12): 12

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