作者单位
摘要
1 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
2 河北省自然科学基金办公室,石家庄 050000
采用矢量场模型,对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的模式阈值增益进行了数值模拟;为减弱金属圆柱的反射以使理论计算更接近实际,采用两种方案,将外加金属包壳视为非理想导体,或在此基础上,将金属包壳与激光器主体结构隔开.从模式的阈值增益与顶Bragg反射镜层周期数的关系方面,与理想金属外包壳情况进行了比较.结果表明,高阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律基本相同,而0阶贝塞耳函数模式的阈值增益变化规律相差较大.
垂直腔面发射激光器 氧化孔径 阈值增益 Vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL) Oxidized aperture Threshold gain 
光子学报
2006, 35(1): 0016
作者单位
摘要
河北大学物理科学与技术学院, 河北 保定 071002
在伴随信号的噪声为加性白噪声和大输入信噪比的前提下,采用小信号近似的方法,对微腔半导体激光器的自发发射因子调制进行了频域分析,得到了实际语音信号输入下不同参数下的信噪比增益.数值模拟的结果表明,如带通滤波器的通带范围取300~3400Hz,激光器的抗噪声性能随偏置电流变化出现振荡现象;当带通滤波器的通带范围增大到一定程度,调整偏置电流和腔内参数可以实现半导体激光器的高抗噪声性能.
微腔半导体激光器 自发发射因子调制 抗噪声性能 
中国激光
2004, 31(s1): 235
作者单位
摘要
1 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
2 河北省自然科学基金委员会,石家庄,050021
实验研究了泵浦光斩波、斩波占空比、斩波频率对两波耦合过程及光扇噪声的影响,结果说明斩波调制抑制了光扇噪声,Ce:KNSBN晶体体全息存储再现图像质量得到明显改善.
光折变 光扇 体全息存储 再现性改善 
光子学报
2004, 33(10): 1226
作者单位
摘要
1 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
2 河北省自然科学基金委员会,石家庄,050021
在非同时读出条件下测量了Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较,发现二者基本一致.利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合,拟合结果和实验数据较好的吻合.
光折变光栅 衍射效率 
光子学报
2002, 31(6): 689
作者单位
摘要
1 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
2 河北省自然科学基金办公室,石家庄,050000
假定微腔半导体激光器输入调制信号为实际语音信号,伴随语音信号的噪音为加性白噪音,在小信号近似下,得到了电流调制和自发发射寿命调制下激光器的传递函数;在大信噪比的前提下,对激光器进行了频域分析,得到了不同参量下的信噪比增益.数值模拟结果表明,在偏置电流的变化范围内,存在极低信噪比增益区,大自发发射因子、小自发发射寿命有利于使该区变窄;语音信号的通带范围和功率谱密度分布特征参量的适当选取,可以使激光器的抗噪音性能在偏置电流的某段范围内得以提高.
微腔 半导体激光器 抗噪音性能 
光子学报
2002, 31(4): 441
作者单位
摘要
河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
采用辉光放电等离子体增强化学气相沉积(GP-CVD)技术在低温条件下合成了高品质的亚微米金刚石薄膜,并通过对合成过程的实时发射光谱诊断确定了[CH4-H2]系统参与金刚石合成反应的主要荷能粒子.对合成过程的研究表明:采用这种技术能使电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)合成高品质金刚石薄膜的温度从850 ℃降至(340±5) ℃;薄膜低温合成中的主要荷能粒子为CH3、CH,CH+、H*等,其中过饱和原子氢保证了高品质金刚石薄膜的合成;根据光诊断和探针测量的结果推断近表面辉光放电可在基片表面形成电偶极层,该偶极层是进行超常态反应的必要环境,并在低温合成中起重要作用.
金刚石薄膜 辉光等离子体 光学发射谱 
光学学报
2002, 22(7): 798

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