在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层，以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示，InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加， SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移； PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变；通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱；时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态，并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程，以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。

采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先，测量低温下改变激发强度的PL谱，底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度发生变化，表明两层量子点之间的耦合作用和层间载流子的转移随着间隔层厚度变大而变弱.接着测量改变温度的PL谱，量子点荧光光谱峰值位置(Emax)、半峰全宽及积分强度随温度发生变化，表明GaAs间隔层厚度直接影响到量子点内载流子的动力学过程和量子点发光的热淬灭过程.最后，TRPL测量发现60 mL比40 mL间隔层厚度样品的载流子隧穿时间有明显延长.

利用激光诱导击穿光谱(LIBS)技术，研究了延迟时间、激光能量和激光脉冲重复频率对掺Er3+光学玻璃等离子体发射光谱的影响。给出了获得谱线品质优良的实验条件，并标定Er II 337.27 nm，Er II 349.91 nm为分析谱线。实验结果表明：样品在ICCD采集延时为175 ns时可以避免等离子体产生初期背景噪声对谱线的影响;谱线强度和信背比随激光能量增加而变化，在75 ～100 mJ间呈线性变化，随后呈缓变增加，激光能量大于120 mJ后呈下降趋势，但谱线强度最大值出现时间随激光能量增加而变短;在激光能量120 mJ，延迟时间为175 ns时，谱线强度随激光脉冲重复频率(1～10 Hz)增加而增加，但重复频率为3.3 Hz时谱线强度测量相对标准误差最小，其RSD为3.8%。由此可见通过实验合理确定延迟时间、激光能量和激光脉冲重复频率，有利于提高激光诱导击穿光谱分析的精确度。

利用Omni-λ300系列光栅光谱仪、 CCD数据采集和处理系统以及光纤导光系统等构成的等离子体光谱分析系统, 实现了实时获取射频磁控溅射过程中等离子体光谱, 分别对NiTa, TiAl陶瓷靶, NiAl, TiAl合金靶四种靶材的磁控溅射过程产生的等离子体进行监测, 以TaⅡ333.991 nm, NiⅠ362.473 nm, AlⅠ396.153 nm和TiⅠ398.176 nm为分析线, 获得了分析谱线强度随时间的变化规律, 并以此为依据确定了预溅射时间, 同时研究了不同溅射功率和压强对预溅射时间的影响。

采用高温固相法合成了Ba3SiO4Cl2∶Eu2+蓝绿色荧光粉, 并测量了材料的光谱特性等。 研究结果显示, 在365 nm近紫外光激发下, Ba3SiO4Cl2∶Eu2+材料呈双峰宽带发射, 主发射峰分别为445和510 nm; 分别监测这两个发射峰, 所得激发光谱覆盖范围为250～450 nm, 主激发峰分别为350和400 nm, 但光谱分布不同, 说明两发射峰来源于不同的Eu2+发光中心。 研究了Eu2+掺杂浓度对材料光谱性能的影响, 发现随Eu2+掺杂量的增大, 445 nm发射峰的强度增加, 而510 nm发射峰的强度减弱。 采用去离子水清洗Ba3SiO4Cl2∶Eu2+材料后, 445 nm发射峰消失, 只保留了510 nm发射峰, 且发射峰的强度明显减弱。

在常压空气环境下, 利用脉冲激光作用于硅基铝酸镧薄膜, 实验发现激光器能量为20 mJ, 脉冲频率3 Hz, 薄膜损伤小且能获得较好品质的光谱; 并依据两分析元素光谱强度比与原子数比之间成一定的线性关系, 对分析线的选择进行了实验研究, 发现线性拟合度不仅与分析线对的选择有关, 而且与分析样品元素比率大小有关。 测量结果表明, 当分析线对为La II 394.91 nm/ Al I 394.40 nm时, 其测量相对误差为0.59 %; 分析线对为La II 394.91 nm/Al I 396.15 nm时, 相对误差是8.32%。可见合理选择分析线对有利于提高薄膜组份比率检测精确度。

采用高温固相法, 以CaCO3 (A.R)、BaCO3 (A.R)、H3BO3 (A.R)和Eu2O3 (99.99%)为原料制备了Ba2Ca(BO3)2∶Eu2+绿色发光材料, 测量了材料的晶体结构、发光特性及色坐标等。Ba2Ca(BO3)2∶Eu2+材料的激发光谱覆盖200～500 nm的紫外-可见光区。在400 nm近紫外光激发下, 材料的发射光谱为一主峰位于537 nm的非对称宽谱, 对应于Eu2+的4f65d1→4f7特征跃迁。研究发现, 随Eu2+掺杂浓度的增大, Ba2Ca-(BO3)2∶Eu2+材料的发射强度呈现先增大、后减小的变化趋势, 最大发射强度对应的Eu2+掺杂摩尔分数为2%。造成发射强度下降的原因为浓度猝灭, 其机理为电偶极-电偶极相互作用。依据晶格常数及实验光谱数据, 得出临界距离Rc分别为2.64 nm和2.11 nm。随Eu2+掺杂浓度的增大, Ba2Ca(BO3)2∶Eu2+材料的色坐标变化微小。计算得到Ba2Ca(BO3)2∶2%Eu2+的转换效率约为72%。

通过高温固相法制备了用于紫外激发白光LED的蓝绿色Ca7(SiO4)2Cl6∶Eu2+荧光粉, 并对样品进行了XRD分析和发光性能测试。 结果表明, 合成的样品为单相Ca7(SiO4)2Cl6; 在紫外光激发下, 样品的发射谱包括418和502 nm两个发射峰。 分别监测这两个发射峰, 得到了峰值位于290和360 nm处的两个宽带激发谱, 说明Eu2+离子在基质晶格中可能占有两个不同的格位。 研究了Eu2+离子浓度对发光强度的影响, 最佳掺杂浓度为0.75 mol%。 结果表明该荧光粉是一种较好的蓝绿色发光材料。

采用高温固相法制备了一种适于近紫外光激发，发射绿光的Ba2B2P2O10∶Eu2+材料，并研究了材料的发光性质.Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射光谱为一峰值位于522 nm的非对称单峰宽谱；监测522 nm发射峰，所得激发光谱覆盖300~450 nm，主峰位于381 nm，为Eu2+的5d→4f跃迁特征激发谱带.利用van Uitert公式计算了Eu2+取代Ba2B2P2O10中Ba2+时所占晶体学格位，得出507 nm和542 nm发射峰分别归属于八配位和六配位的Eu2+发射.研究发现，Eu2+浓度对Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射强度有影响，并判断出Eu2+在Ba2B2P2O10中发射的自身浓度猝灭机理为电偶极电偶极相互作用.

采用高温固相法制备了LiBaPO4∶Eu3+红色发光材料, 研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响。结果显示, 在401 nm近紫外光激发下, 材料呈多峰发射, 分别由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生, 主峰位于619 nm; 监测619 nm发射峰, 所得激发光谱由O2-→Eu3+电荷迁移带(200～350 nm)和f-f高能级跃迁吸收带(350～450 nm)组成, 主峰位于401 nm。改变Eu3+掺杂浓度, LiBaPO4∶Eu3+材料的发射强度随之改变, Eu3+摩尔分数为5%时, 强度最大; 依据Dexter理论, 得出浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用; 添加电荷补偿剂提高了LiBaPO4∶Eu3+材料的发射强度, 且Li+和Cl-的效果最好。