热猝灭性能极大程度上限制了发光材料的应用，如何改善发光材料的热稳定性这一课题受到了广泛关注。本文通过高温固相法制备了一系列浓度梯度的Li₃Cs₂Ba_2-xSr_xB₃P₆O₂₄∶0.03Eu²⁺荧光粉，并对该系列荧光粉进行了表征，对其XRD、激发发射光谱、荧光寿命、热猝灭性能进行了分析。结果表明，通过阳离子Sr替代Ba的方法不但改善了晶格结构，提升了样品的发光强度，而且使原发光材料的热稳定性能进一步得到了提高。对于Li₃Cs₂Ba₂B₃P₆O₂₄∶Eu²⁺样品，在150 ℃下的发光强度已经可以达到常温下的79%，通过Sr替换Ba，该强度能够进一步提高到87%。相关分析及结论可为荧光粉热稳定性的改善提供思路与依据。

随着近紫外芯片激发三基色荧光粉技术的发展，开发用于液晶显示背光源以满足高品质显示需求的新型窄带蓝色荧光粉已经成为材料研究者日益关注的焦点。本文采用高温固相法合成了具有钙钛矿结构原型的K₂BaPO₄F∶Eu²⁺窄带蓝色荧光粉。K₂BaPO₄F基质由［FK₄Ba₂］八面体以共享Ba、K原子的方式相连形成三维网状阴离子框架，进而与孔道中的［PO₄］四面体连接形成K₂BaPO₄F钙钛矿结构框架。Rietveld精修分析表明，Eu²⁺同时占据Ba²⁺和K⁺位点形成［Eu（1）O₈F₂］和［Eu（2）O₆F₂］配位多面体，两种多面体发光中心存在由偶极?偶极效应引起的Eu（1）→Eu（2）能量传递过程，使荧光粉具有发射峰值波长为432 nm、半峰宽为43 nm的高亮度窄带蓝光发射。基于密度泛函理论的第一性原理计算表明，K₂BaPO₄F基质为间接带隙化合物，理论带隙值为5.035 eV。K₂BaPO₄F∶Eu²⁺荧光粉展现了合适的荧光热稳定性（I_{493 K}/I_{293 K}=64%）和较高的内、外量子效率（分别为72.8%和46.4%），其性能指标虽然劣于BaMgAl₁₀O₁₇∶Eu²⁺、K_1.6Al₁₁O_17+δ∶Eu²⁺、Na₃Sc₂（PO₄）₃∶Eu²⁺等典型蓝粉，但优于其他一些已报道的蓝色荧光粉。上述研究工作不仅展现了K₂BaPO₄F∶Eu²⁺作为一种新型窄带蓝色荧光粉的应用潜力，而且也为基于矿物结构原型策略探索新型荧光粉提供了可能性。

近年来，用于制备白光发光二极管（LED）的窄带发射荧光粉在降低能源消耗、提高白光质量以及保持色度稳定等方面具有重要作用，因而被研究者们广泛关注。Eu²⁺离子独特的4f?5d跃迁以及与局部环境的依赖性，为制备窄带发射荧光粉提供了可能。但是，目前窄带发射的理论尚不完备，大多Eu²⁺掺杂窄带发射荧光粉的研发均基于大量的重复性试验。本文以位形坐标模型为基础，从理论计算方面对窄带型Eu²⁺掺杂荧光粉的研究进行综述，重点讨论局部配位环境、晶体结构、斯托克斯位移以及耦合声子频率等因素对Eu²⁺离子发射半峰宽（FWHM）的影响，期望为新型Eu²⁺掺杂窄带发射荧光粉提供理论依据。

Eu²⁺?激活A₂CaPO₄F（A=K，Rb）荧光粉因具有优异的发光性能而引起研究人员的重点关注。然而，Eu²⁺掺杂格位占据和光谱指认及其光谱调控机制依然不甚清楚。本文采用密度泛函理论系统计算了Eu²⁺占据不同晶体学格位时的缺陷形成能及光学跃迁能量，以此为基础对发射光谱进行指认。结果表明，K₂CaPO₄F∶Eu²⁺位于660 nm附近和480 nm附近的发射峰虽然都来自Eu²⁺占据在K格位，但二者的电荷补偿方式不同：前者两个配位F原子被O原子取代，同时与其中一个O原子近邻的K原子被Ca原子取代；后者只有一个配位F原子被O原子取代。Rb₂CaPO₄F∶Eu²⁺位于480 nm附近的发射峰来自Eu²⁺占据Rb格位，电荷补偿方式为：两个配位F原子被O原子取代，同时与两个O原子都相邻的K原子被Ca原子取代。此外，对Eu²⁺占据格位的配位环境和电子结构进行分析，讨论了其与光谱发射峰位置之间的变化关系。本工作不仅诠释了实验现象，还可以为实验上进一步优化荧光粉发光性能提供理论参考。

Ce³⁺/Eu²⁺掺杂无机发光材料在照明、显示、监测、示踪、防伪以及信息存储等领域具有重要应用。Ce³⁺/Eu²⁺的5d电子与基质材料中近邻阴离子配体之间存在强交互作用，共价键效应、晶体场劈裂和电声子耦合作用可以有效调控其激发光谱和发射光谱，从而赋予Ce³⁺/Eu²⁺掺杂无机固体高效可调的优异性能。近年来，研究人员研发出了许多Ce³⁺/Eu²⁺掺杂的无机发光材料，并深入研究了其成分、结构与性能之间的关系。本文系统综述了Ce³⁺/Eu²⁺掺杂无机发光材料的构效关系与唯象理论研究进展，详细总结了基质材料组分、晶体结构、局域结构和电子结构对发光性能的影响规律，并对未来发展提出了展望。