采用传统的高温固相法合成出了硫元素掺杂的具有 473 nm和 525 nm双发射的 UCr4C4型 RbNa3(Li12Si4O16-ySy):Eu2+窄带蓝光荧光粉, 并在 UCr4C4结构中实现零热猝灭发光性能, 其发光积分强度在 250℃下提升至室温的 107%。Eu2+离子的格位占据分析及缺陷表征揭示了对应的发光调控和零热猝灭机理。采用阳离子取代策略 (Ti4+部分取代 Si4+)成功消除了荧光粉位于 525 nm的肩带峰, 将蓝光色纯度从 61.1%提升至 83.7%, 使 RbNa3(Li12Si3TiO16-ySy):Eu2+荧光粉有望成为应用于液晶显示背光的蓝色发光候选材料, 为 UCr4C4型发光材料零热猝灭性能的实现及色纯度的优化提供了新的设计思路。

近年来, 窄带发光材料由于可扩大显示色域、改善色彩重现性、提高发光效率等优点在LED显示领域引起广泛的关注。但由于目前已报道的窄带发射材料较少以及Eu2+ 4f-5d跃迁的扩展效应, 用于新兴领域的窄带Eu2+掺杂荧光材料的研发仍然面临巨大挑战。本文综述了目前已报道的具有良好发光性能的Eu2+激活的UCr4C4型窄带荧光材料, 并从结构相关的发光性质出发, 分类描述了Eu2+掺杂的UCr4C4基氮化物、氧化物及氮氧化物荧光材料的晶体结构特征、发光及应用特性, 以期望为设计合成新型稀土掺杂的窄带发光材料提供有意义的启示。