作者单位
摘要
燕山大学 环境与化学工程学院,河北 秦皇岛 066000
近年来,用于制备白光发光二极管(LED)的窄带发射荧光粉在降低能源消耗、提高白光质量以及保持色度稳定等方面具有重要作用,因而被研究者们广泛关注。Eu2+离子独特的4f?5d跃迁以及与局部环境的依赖性,为制备窄带发射荧光粉提供了可能。但是,目前窄带发射的理论尚不完备,大多Eu2+掺杂窄带发射荧光粉的研发均基于大量的重复性试验。本文以位形坐标模型为基础,从理论计算方面对窄带型Eu2+掺杂荧光粉的研究进行综述,重点讨论局部配位环境、晶体结构、斯托克斯位移以及耦合声子频率等因素对Eu2+离子发射半峰宽(FWHM)的影响,期望为新型Eu2+掺杂窄带发射荧光粉提供理论依据。
Eu2+掺杂荧光粉 窄带发射 配位环境 斯托克斯位移 声子频率 Eu2+- doped phosphors narrow emission coordination environment Stokes shift phonon frequency 
发光学报
2022, 43(9): 1405
作者单位
摘要
1 山东大学 材料工程与科学学院, 山东 济南 250061
2 青岛大学 化学化工学院, 山东 青岛 266071
近年来, 窄带发光材料由于可扩大显示色域、改善色彩重现性、提高发光效率等优点在LED显示领域引起广泛的关注。但由于目前已报道的窄带发射材料较少以及Eu2+ 4f-5d跃迁的扩展效应, 用于新兴领域的窄带Eu2+掺杂荧光材料的研发仍然面临巨大挑战。本文综述了目前已报道的具有良好发光性能的Eu2+激活的UCr4C4型窄带荧光材料, 并从结构相关的发光性质出发, 分类描述了Eu2+掺杂的UCr4C4基氮化物、氧化物及氮氧化物荧光材料的晶体结构特征、发光及应用特性, 以期望为设计合成新型稀土掺杂的窄带发光材料提供有意义的启示。
Eu2+掺杂 窄带发光 UCr4C4 UCr4C4 Eu2+ doped narrowband luminescence 
发光学报
2020, 41(10): 1214

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