中国矿业大学材料与物理学院,江苏 徐州 221116
冷烧结(CSP)工艺是近年来新兴的一种高效、节能的材料方法。本工作采用CSP工艺,制备出致密度不低于97%的(1-x)BNT-xNN电介质陶瓷。研究了CSP工艺和NaNbO3含量对(1-x)BNT-xNN复相陶瓷的密度、相结构、显微形貌和介电性能的影响。结果表明:CSP工艺由于烧结温度低、保温时间短,可以显著降低晶粒尺寸,有效抑制Bi、Na等元素挥发,从而提高介电常数,降低介电损耗。随着NaNbO3含量的增加,(1-x)BNT-xNN复相陶瓷的剩余极化强度显著降低,并且介电常数的温度稳定性显著提升。当x=0.3时,0.7BNT-0.3NN陶瓷样品在25 ℃至400 ℃宽温范围内介电常数的变化率小于±6%,介电损耗小于5%,这表明CSP技术制备的(1-x)BNT-xNN陶瓷有望应用于温度稳定性陶瓷电容器。
冷烧结 介电常数 介电损耗 钛酸铋钠 高效节能 cold sintering dielectric constant dielectric loss bismuth sodium titanate efficient and energy saving
1 南京邮电大学 集成电路科学与工程学院, 南京 210003
2 南京邮电大学 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 南京 210003
随着制造工艺的不断演进、电路规模的不断增大, 集成电路逐渐进入后摩尔时代。如何准确快速地进行寄生电容参数提取, 对于保证设计质量、减少成本和缩短设计周期变得越来越重要。文章提出了一种基于分段预留法的二维电容提取技术, 该技术基于改进的有限差分法, 采用非均匀网格划分和求解不对称系数矩阵方程, 模拟互连结构横截面, 可以高效计算出主导体的单位长度总电容以及主导体和相邻导体之间的单位长度耦和电容。为了验证提出方法的准确性和有效性, 进行了一系列验证实验。实验结果表明, 提出的互连线二维电容提取技术在寄生电容计算精度上平均提高了140倍, 运行时间平均缩了10%。
有限差分法 不对称系数矩阵 分段预留 寄生电容 FDM asymmetric coefficient matrix segment reservation parasitic capacitance
回顾性分析中晚期胸部恶性肿瘤(食管癌、肺癌)患者放疗前后淋巴细胞与单核细胞比值(Lymphocyte/monocyte ratio,LMR)的预后意义。收集2017年01月至2021年12月在江苏盛泽医院进行放射治疗的中晚期肺癌、食管癌患者的临床资料进行回顾性分析,共74例。采集患者外周放疗前、后1周内血常规,并记录LMR,建立受试者工作特征曲线(ROC)以获得总生存期(OS)最佳截断值,分析患者放疗前后LMR与预后的相关性。用Kaplan-Meier法制作总OS生存曲线,用Cox比例风险回归模型进行单因素、多因素分析。结果显示:全组中位随访时间15个月,中位年龄70岁,根据ROC曲线得到放疗前LMR最佳临界值为2.46,曲线下面积(AUC)=0.719;放疗后LMR最佳临界值为1.07,AUC=0.682。Kaplan-Meier曲线显示,放疗前后高LMR组预后均较好(p<0.05);Cox风险比例模型单因素分析显示临床分期、诊断、联合治疗与否,放疗前后LMR均与预后有关;多因素分析结果表明,临床分期、联合治疗、放疗前后LMR是中晚期肺癌、食管癌患者接受放疗后的独立预后因素(p<0.05)。提示放疗前后LMR均与中晚期胸部肿瘤患者的预后有关,高LMR组的中晚期肺癌、食管癌放疗患者的预后较好。
中晚期肺癌 中晚期食管癌 放射治疗 淋巴细胞/单核细胞比值 Middle and advanced lung cancer Middle and advanced esophageal cancer Radiotherapy Lymphocyte/monocyte ratio 辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(3): 030305
中红外(2.5 μm~25 μm)波段包含许多重要的原子和分子共振峰,因此中红外超连续谱广泛应用于生物医学、光谱学和环境科学等领域。碲化镉(cadmium telluride, CdTe)在中红外波段具有超宽的透射光谱范围0.86 μm~25 μm,同时CdTe具有较大的三阶非线性系数,是实现中红外超连续谱的理想材料。本文设计并加工了一种基于CdTe为芯层、低折射率介质硫化镉为缓冲层、硅为衬底的波导。采用广义非线性薛定谔方程仿真了该波导以中心波长为5.5 μm中红外激光作为泵浦,能够实现4.1 μm~9.7 μm的超连续谱输出。实验中通过湿法刻蚀制作CdTe多晶波导,并采用中心波长为1030 nm,脉冲宽度为250 fs的激光器作为泵浦源,观察到在波导中发生明显的自相位调制而产生的光谱展宽。该工作为CdTe集成波导应用于中红外超连续谱及中红外波段的片上光学器件提供了新的可能。
集成波导 超连续谱 中红外激光 超快激光 integrated waveguide supercontinuum mid-infrared laser ultrafast laser
Author Affiliations
Abstract
1 Zhejiang Lab, Hangzhou 311121, China
2 College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
3 Applied Physics Department, KTH Royal Institute of Technology, 10691 Stockholm, Sweden
4 Networks Unit, RISE Research Institutes of Sweden, 16440 Kista, Sweden
Recently, wireless communication capacity has been witnessing unprecedented growth. Benefits from the optoelectronic components with large bandwidth, photonics-assisted terahertz (THz) communication links have been extensively developed to accommodate the upcoming wireless transmission with a high data rate. However, limited by the available signal-to-noise ratio and THz component bandwidth, single-lane transmission of beyond 100 Gbit/s data rate using a single pair of THz transceivers is still very challenging. In this study, a multicarrier THz photonic wireless communication link in the 300 GHz band is proposed and experimentally demonstrated. Enabled by subcarrier multiplexing, spectrally efficient modulation format, well-tailored digital signal processing routine, and broadband THz transceivers, a line rate of 72 Gbit/s over a wireless distance of 30 m is successfully demonstrated, resulting in a total net transmission capacity of up to 202.5 Gbit/s. The single-lane transmission of beyond 200 Gbit/s overall data rate with a single pair of transceivers at 300 GHz is considered a significant step toward a viable photonics-assisted solution for the next-generation information and communication technology (ICT) infrastructure.
terahertz communication terahertz photonics wavelength division multiplexing photonic-wireless transmission Chinese Optics Letters
2023, 21(2): 023901
1 中国地质大学 (武汉)材料与化学学院, 武汉 430074
2 中国地质大学(武汉)浙江研究院, 杭州 311305
采用传统的高温固相法合成出了硫元素掺杂的具有 473 nm和 525 nm双发射的 UCr4C4型 RbNa3(Li12Si4O16-ySy):Eu2+窄带蓝光荧光粉, 并在 UCr4C4结构中实现零热猝灭发光性能, 其发光积分强度在 250℃下提升至室温的 107%。Eu2+离子的格位占据分析及缺陷表征揭示了对应的发光调控和零热猝灭机理。采用阳离子取代策略 (Ti4+部分取代 Si4+)成功消除了荧光粉位于 525 nm的肩带峰, 将蓝光色纯度从 61.1%提升至 83.7%, 使 RbNa3(Li12Si3TiO16-ySy):Eu2+荧光粉有望成为应用于液晶显示背光的蓝色发光候选材料, 为 UCr4C4型发光材料零热猝灭性能的实现及色纯度的优化提供了新的设计思路。
UCr4C4结构 硫元素掺杂 窄带蓝光 发光调控 零热猝灭 UCr4C4 structure sulfur element doped narrow-band blue emission luminescence adjustment zero-thermal-quenching
强激光与粒子束
2022, 34(8): 082002
1 遵义师范学院 工学院, 贵州 遵义 563006
2 中国工程物理研究院 机械制造工艺研究所, 四川 绵阳 621900
3 华中光电技术研究所 武汉光电国家实验室, 湖北 武汉 430073
平面光学元件的浸入深度、凸球面光学元件的浸入深度、凸球面光学元件的曲率半径不同会使磁流变抛光入口区域剪切力场发生变化。为了研究磁流变抛光入口区域剪切力场的形成机制, 建立磁流变抛光过程中必要的流体模型, 对入口区域的几何特征进行分析; 通过数值计算平面光学元件不同浸入深度、凸球面光学元件不同浸入深度、凸球面光学元件不同曲率半径的影响, 得到对应的剪切力分布。得出结论,当平面光学元件一定浸入深度逐渐增加时, 抛光区域入口处的剪切力逐渐增大; 当凸球面光学元件的一定浸入深度逐渐增加时, 抛光区域入口处的剪切力逐渐增大; 凸球面光学元件的曲率半径对剪切力无显著影响, 不同曲率半径下的剪切力分布大致相同。
流变抛光 剪切力场 几何特征 抛光区域 magnetorheological polishing shear force field geometric characteristics polishing area
红外与激光工程
2022, 51(3): 20210443