研究了在Geiger模式下工作的单光子雪崩二极管的温度特性。结果表明,该雪崩二极管的雪崩电压随温度的降低呈线性减小,电压温度系数为0.42 V/K。当该雪崩二极管在13 V以上雪崩电压下工作时,暗计数率随着温度的降低呈指数下降趋势,温度每降低8.58 K,暗计数率减小一半,当温度从274 K降低到192 K时,该雪崩二极管的暗计数率从13900 Hz减小到了14 Hz。将工作温度为260 K,暗计数率为58 Hz的单光子雪崩二极管冷却到192 K,并且调整二极管两端的偏置电压,使其在波长为852 nm时的探测效率为50%,暗计数率降为0.064 Hz,后脉冲概率为6.7%,单光子探测器的性能得到显著提高。这种超低暗计数率单光子探测器在量子通讯、弱光探测等领域具有广阔的应用前景。

介绍一个Ka波段分布作用速调管(EIK)发射机的实验系统，使用的核心器件是一只国产分布作用速调管样管，中心频率为35.01 GHz，脉冲输出功率为10 kW，最大工作比0.5％。该实验系统是为Ka/W波段双频毫米波测云仪发射机关键器件国产化进行的预研。实验系统一方面要对EIK样管的性能进行全面测试，对EIK样管在应用中可能存在的问题进行分析；另一方面优化发射机电路，满足EIK样管最佳工作要求。实验结果表明，国产Ka波段分布作用速调管技术取得了长足的进步，Ka波段大功率EIK发射机将进入实用阶段。

利用Omni-λ300系列光栅光谱仪、 CCD数据采集和处理系统以及光纤导光系统等构成的等离子体光谱分析系统, 实现了实时获取射频磁控溅射过程中等离子体光谱, 分别对NiTa, TiAl陶瓷靶, NiAl, TiAl合金靶四种靶材的磁控溅射过程产生的等离子体进行监测, 以TaⅡ333.991 nm, NiⅠ362.473 nm, AlⅠ396.153 nm和TiⅠ398.176 nm为分析线, 获得了分析谱线强度随时间的变化规律, 并以此为依据确定了预溅射时间, 同时研究了不同溅射功率和压强对预溅射时间的影响。

在常压空气环境下, 利用脉冲激光作用于硅基铝酸镧薄膜, 实验发现激光器能量为20 mJ, 脉冲频率3 Hz, 薄膜损伤小且能获得较好品质的光谱; 并依据两分析元素光谱强度比与原子数比之间成一定的线性关系, 对分析线的选择进行了实验研究, 发现线性拟合度不仅与分析线对的选择有关, 而且与分析样品元素比率大小有关。 测量结果表明, 当分析线对为La II 394.91 nm/ Al I 394.40 nm时, 其测量相对误差为0.59 %; 分析线对为La II 394.91 nm/Al I 396.15 nm时, 相对误差是8.32%。可见合理选择分析线对有利于提高薄膜组份比率检测精确度。