利用Omni-λ300系列光栅光谱仪、 CCD数据采集和处理系统以及光纤导光系统等构成的等离子体光谱分析系统, 实现了实时获取射频磁控溅射过程中等离子体光谱, 分别对NiTa, TiAl陶瓷靶, NiAl, TiAl合金靶四种靶材的磁控溅射过程产生的等离子体进行监测, 以TaⅡ333.991 nm, NiⅠ362.473 nm, AlⅠ396.153 nm和TiⅠ398.176 nm为分析线, 获得了分析谱线强度随时间的变化规律, 并以此为依据确定了预溅射时间, 同时研究了不同溅射功率和压强对预溅射时间的影响。

采用磁控溅射仪、 Omni-λ300系列光栅光谱仪、 CCD数据采集系统和光纤导光系统等构成的等离子体光谱分析系统, 采集了以Cu和Al为靶材、 氩气为工作气体, 射频磁控溅射法沉积硅基薄膜时的等离子体发射光谱. 以CuⅠ324.754 nm, CuⅠ327.396 nm, CuⅠ333.784 nm, CuⅠ353.039 nm, AlⅠ394.403 nm和AlⅠ396.153 nm为分析线, 研究了Cu和Al等离子体发射光谱强度随溅射时间、 溅射功率、 靶基距和气体压强等实验参数的变化. 并与射频磁控溅射沉积薄膜实验参数的选择进行对比, 表明发射光谱法对射频磁控溅射薄膜生长条件的优化有着很好的指导作用.