1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050
2 中国科学院大学, 北京 100049
上海市青年科技启明星计划(No.19QA1410600),上海市优秀学术带头人计划(No. 19XD1404600),中科院计划(No.Y82BRA1001)
量子存储 自组装量子点 单光子源 量子调控 应力调节 Quantum memory Self-assembled quantum dots Single-photon sources Quantum manipulation Strain tuning
河北大学 物理科学与技术学院，河北 保定 071002
采用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光发射谱(TRPL)研究了GaAs间隔层厚度对自组装生长的双层InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响.首先，测量低温下改变激发强度的PL谱，底层量子点和顶层量子点的PL强度比值随激发强度发生变化，表明两层量子点之间的耦合作用和层间载流子的转移随着间隔层厚度变大而变弱.接着测量改变温度的PL谱，量子点荧光光谱峰值位置(Emax)、半峰全宽及积分强度随温度发生变化，表明GaAs间隔层厚度直接影响到量子点内载流子的动力学过程和量子点发光的热淬灭过程.最后，TRPL测量发现60 mL比40 mL间隔层厚度样品的载流子隧穿时间有明显延长.
载流子 光致荧光 时间分辨 自组织量子点 光谱 Carrier Photofluorescence Time-resolved Self-assembled quantum dots spectrum
1 宁波工程学院 机械学院, 浙江 宁波315016
2 中国科学院 长春光学与精密机械研究所 激发态物理重点实验室, 吉林 长春130033
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。 发现当激发强度(I)变化3 个数量级的时候, 量子点发光的峰位、峰形都没有发生明显的变化。通过公式L∝Ik(其中I是激发光强度, L是量子点发光强度, k是非线性系数)得到非线性系数k值。实验结果表明：在温度由21 K升高到300 K的过程中, k值随温度变化可以分为3个区域：当温度低于120 K时, k值接近于1;然后, 随着温度升高, k值慢慢变小;最后, 随温度进一步升高, k值由200 K时的0.946迅速减少到0.870。结合发光随温度变化的实验结果, 确认在120 K以下发光主要来源于束缚激子复合。在温度由200 K升高到300 K的过程中, 非线性系数的单调减小主要归因于随着温度的升高, 发光部分来自于由自由电子或空穴到束缚态能级(FB)的复合。进一步通过分析量子点发光的积分强度随着温度的变化的实验结果, 发现发光强度随温度升高而减弱的主要原因是材料中的缺陷或者位错等提供非辐射渠道。
非线性系数 光致发光 自组装量子点 nonlinear coefficient photoluminescence self-assembled quantum dots
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子工程系, 长春 130023
针对低阈值半导体量子结构激光器(简称量子结构激光器)，包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系，并且以InGaAs(P)/InP量子阱激光器和InAs/GaAs自组装量子点结构激光器为例，分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。
量子结构激光器 自组装量子点 优化结构设计
