1 中国电子科技集团公司 第四十七研究所, 沈阳 110032
2 西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室, 西安 710071
3 中国电子科技集团公司 第十三研究所, 石家庄 050051
针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。
双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子 bipolar device total ionizing dose radiation low dose rate enhanced low dose rate sensitivity effect enhancement factor 强激光与粒子束
2016, 28(4): 044002
