为扩大晶粒尺寸并降低晶粒间界缺陷对多晶硅薄膜晶体管的不良影响, 采用准分子激光相位掩模法制备了大晶粒尺寸的多晶硅薄膜。首先, 在无相位掩模时利用不同能量密度的准分子激光晶化非晶硅薄膜, 通过扫描电镜观测晶粒尺寸确定超级横向生长的能量窗口; 然后, 在该能量密度下采用周期为1 073 nm的相位掩模板对入射光束进行相位调制, 在样品表面形成人工可控的横向温度梯度, 使非晶硅熔化并横向生长结晶为多晶硅; 最后, 对薄膜特性进行测量, 并与非晶硅薄膜和超级横向生长制备的多晶硅薄膜进行比较。结果表明: 本文方法制作的薄膜的平均晶粒尺寸提高了一个数量级, 达到了228.24 nm; 薄膜电阻率降低一个数量级, 为18.9 Ω·m; 且晶粒分布规则有序。该方法能有效提高多晶硅薄膜的电学特性, 适用于高质量多晶硅薄膜器件的制作。

采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N，制作了一种结构为ITO/Alq3 Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极，金属Al作为顶部阳极，在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3N n型掺杂层， 改善了该器件的电子注入和传输能力；在Al阳极与空穴传输层之间加入MoO3缓冲层，降低了Al阳极与NPB之间较大的空穴注入势垒，改善了空穴注入能力.实验表明:此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常用有机发光器件如ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的性能，完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发光器件中驱动电路的匹配及性能要求.

相对于传统的无机半导体材料，有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低，从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力，对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂，以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层，有效地提高了有机发光器件器件的性能，在掺杂浓度为5%，掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定，并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气，避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点，有利于工艺处理.