1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室， 吉林 长春 130022
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所， 江苏 苏州 215123
主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量，通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形貌的影响。实验结果表明，AlN缓冲层生长前预通三甲基铝(TMAl)的时间、AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的应变状态、外延层的晶体质量以及表面形貌都有显著影响。得到最优的预辅Al时间为10 s，AlN缓冲层的厚度为40 nm。在此条件下外延生长的GaN样品(厚度约为1 μm)表面形貌较好，X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)(0002)面和(10-12)面分别为452″和722″。
材料 AlN缓冲层 预辅Al 应变状态
