1 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
利用高阶Bragg光栅成功制备出GaSb基DBR激光器, 避免了复杂的制备工艺.利用标准接触曝光制备出16阶和24阶Bragg光栅以及双沟脊条波导结构.16阶Bragg光栅器件在室温下实现了SMSR高达17.5 dB 的单模激光输出.CW状态下室温最大单模输出功率超过10 mW.随着注入电流变化, 器件表现出出色的波长稳定性.在整个注入电流范围内, 器件都保持单横模工作状态.24阶Bragg光栅器件室温SMSR为22.5 dB.器件的激射波长都在2.0 μm左右.
激光二极管 量子阱 红外 laser diodes quantum well infrared
1 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室, 北京 100083
2 中国科学技术大学 量子信息与量子科技前沿协同创新中心, 安徽 合肥 230026
成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量, 将量子阱的生长温度优化至500℃, 并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100 μm 、腔长1.5 mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328 mW室温连续工作, 阈值电流密度为402 A/cm2, 在脉冲工作模式下, 功率达到700 mW.
镓锑基 半导体激光器 量子阱 中红外 GaSb-based laser diodes quantum-wells mid-infrared
1 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学技术大学 量子信息与量子物理协同创新中心, 安徽 合肥 230026
通过MBE外延系统生长了2 μm GaSb基AlGaAsSb/InGaSb I型量子阱激光器, 并制备了宽面条形波导激光器件, 在20℃工作温度下, 器件最大连续激射功率达到1.058 W, 当注入电流为0.5 A时, 峰值波长为1977μm, 最大能量转换效率为20.2%, 在脉冲频率为1 000 Hz, 占空比为5%的脉冲工作模式下, 最大激射功率为2.278 W.
大功率 激光二极管 中红外 量子阱 high power laser diodes infrared quantum wells
1 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083
2 中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心，安徽 合肥 230026
使用固态源MBE系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长，通过优化稳定生长条件，结合标准宽条形激光器制备工艺，获得了在15℃工作温度下823 mW的连续光输出，注入电流0.5 A时，峰值波长为1.98 μm。在1000 Hz，5%占空比的脉冲工作模式下，最大脉冲功率达到1.868 W。
激光器 中红外 大功率 光电对抗 中国激光
2015, 42(s1): s102006
