1 华东理工大学 理学院, 上海 200237
2 华东理工大学 中德工学院, 上海 200237
3 华东理工大学 材料科学与工程学院, 上海 200237
制备了三苯胺化合物4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的单层器件ITO/MoO3/TCTA/LiF/Al和TCTA/TPBi双层异质结器件ITO/NPB/TCTA/TPBi/Bphen/LiF/Al, 研究了TCTA的双分子发光现象。通过测试器件的光电性能和薄膜的稳态光谱, 得出以下结论: (1)单层器件的电致发光光谱有425 nm和600 nm两个发光峰。与TCTA薄膜的光致发光光谱对比, 可知425 nm附近的蓝色发光峰来源于TCTA单体发光, 而600 nm附近的橙色发光应为TCTA二聚体electromer的发光。蓝色和橙色发光混合, 使单层器件发光颜色表现为白色, 对应色坐标为(0.381,0.343)。(2)TCTA/TPBi双层异质结器件的电致发光光谱为440 nm的单峰, 器件的最大发光亮度为930 cd/m2, 发光性能明显优于单层器件。结合薄膜TCTA、TPBi和TCTA/TPBi的光致发光光谱和紫外-可见光吸收光谱, 可知双层器件的发光来自TCTA+TPBi-电致激基复合物。双层器件表现出良好的色稳定性, 电压在6～11 V范围, CIE色坐标为(0.18±0.01,0.14±0.01)。
双分子激发态 TCTA TCTA electromer electromer electroplex eletroplex bimolecular excited state
1 信息显示与可视化国际合作联合实验室，电子科学与工程学院，东南大学，江苏 南京 210096
2 河北半导体研究所，河北 石家庄 050051
3 专用集成电路国家级重点实验室，河北 石家庄 050051
采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)，器件尺寸得到有效缩小，源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+ GaN外延工艺，欧姆接触总电阻值达到0.16 Ω·mm，该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善，器件电学特性，尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(Ron)仅为0.41 Ω·mm，栅压1 V下，漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外，器件的电流增益截止频率(fT)达到350 GHz，该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.
铟铝氮氮化镓异质结 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 非合金欧姆接触工艺 纳米栅 InAlN/GaN HFET current gain cut-off frequency nonalloyed Ohmic contacts nano-gate
