作者单位
摘要
1 河南工业大学材料科学与工程学院,郑州 450001
2 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司,郑州 450001
3 白鸽磨料磨具有限公司,郑州 450001
本文通过静电吸附法制备了TiO2/g-C3N4复合粉体。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等对其形貌、成分、光学性能进行表征。以罗丹明B为模拟污染物,表征其在紫外光条件下的光催化性能。结果表明:在降解罗丹明B实验中,当复合粉体中TiO2负载量达到15%(质量分数)时,具有更明显的催化降解效果,在20 min内降解率可以达到99.40%。在加入异丙醇作为羟基自由基捕获剂后,降解率降到了27.30%,确定了反应的主要活性物质为羟基自由基。紫外辅助芬顿反应可以明显提高传统芬顿反应的效果,本文还对催化剂的反应机理进行了相应探索。
芬顿反应 光催化 羟基自由基 静电吸附法 异质结 降解 TiO2/g-C3N4 TiO2/g-C3N4 Fenton reaction photocatalysis hydroxyl radical electrostatic adsorption method heterojunction degradation 
人工晶体学报
2022, 51(8): 1466
Author Affiliations
Abstract
1 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China
2 CAS Key Laboratory of Quantum Information, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
3 CAS Center for Excellence in Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
4 Advanced Micro Foundry Pte Ltd., Singapore 117685, Singapore
5 Peng Cheng Laboratory, Shenzhen 518000, China
To optimize the dark current characteristic and detection efficiency of the 1550 nm weak light signal at room temperature, this work proposes a Ge-on-Si avalanche photodiode (APD) in Geiger mode, which could operate at 300 K. This lateral separate absorption charge multiplication APD shows a low breakdown voltage (Vbr) in Geiger mode of -7.42 V and low dark current of 0.096 nA at unity gain voltage (VGain=1 = -7.03 V). Combined with an RF amplifier module and counter, the detection system demonstrates a low dark count rate (DCR) of 1.1×106 counts per second and high detection efficiency η of 7.8% for 1550 nm weak coherent pulse detection at 300 K. The APD reported in this work weakens the dependence of the weak optical signal recognition on the low environment temperature and makes single-chip integration of the single-photon level detection system possible.
avalanche photodiode optical detection optical interconnection 
Chinese Optics Letters
2022, 20(6): 062501
作者单位
摘要
1 中南大学冶金科学与工程学院, 湖南 长沙410083
2 中南大学材料科学与工程学院, 有色金属材料科学与工程教育部重点实验室, 湖南 长沙410083
借助Raman, IR和XRD等技术探讨了Si—Al—Zr—O系非晶在原位受控晶化过程中微结构变化。 结果表明, Si—Al—Zr—O系非晶在920 ℃左右出现网络结构重整, 形成了富Si区和富Zr和Al区。 在920~950 ℃间, 从富Zr区析出初晶相四方氧化锆, 并从富Al区形成Al—Si尖晶石相。 随着温度进一步升高, Al—Si尖晶石衍射峰先增强随后消失, 同时在1 200~1 100, 1 000~700和650~400 cm-1观察到莫来石的红外特征峰; 当温度升高至1 100~1 150℃, 出现了单斜氧化锆的拉曼特征峰179和193 cm-1, 同时形成了方石英, 四方氧化锆和莫来石成为主晶相。 说明在热处理过程中, Al不是以三氧化二铝形式析出而是先形成过渡Al—Si尖晶石相, 随后与非晶二氧化硅反应形成莫来石晶相, Zr首先以四方氧化锆析出, 高温下有小部分四方氧化锆发生相变转化为单斜相, 其中过剩的非晶二氧化硅转化为方石英。
Si—Al—Zr—O系非晶 红外光谱 拉曼光谱 微结构变化 Si—Al—Zr—O amorphous bulk IR Raman Microstructure changes 
光谱学与光谱分析
2011, 31(1): 123
作者单位
摘要
1 哈尔滨工业大学,MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001
2 黑龙江大学,计算机系,黑龙江,哈尔滨,150080
在已研制的某嵌入式仪器中(以80C31单片微机为核心,外扩ADC0816转换器等,完成特定的测控功能),由于该嵌入式仪器电路较庞大复杂,并且程序要求实时性较高,因此采用了中断多优先级的软件模拟处理技术,实践证明该技术对嵌入式仪器的实时处理十分有效,文中给出了该嵌入式仪器的电路原理框图和中断多优先级的处理技术及软件程序.
嵌入式 中断 优先级 
光学 精密工程
2004, 12(z1): 240
作者单位
摘要
1 哈尔滨工业大学MEMS中心,黑龙江,哈尔滨,150001
2 黑龙江大学计算机系,黑龙江,哈尔滨,150080
在已研制的某嵌入式仪器中,以80C31单片微机为核心,外扩ADC0816转换器等,完成特定的测控功能,由于该嵌入式仪器电路较庞大复杂,并且程序要求可靠性较高,因此采用了冗余备份的处理技术,该处理技术使嵌入式仪器既可工作在热备份状态又可工作在冷备份状态.实践证明该技术对嵌入式仪器的可靠性处理十分有效.文中给出了该嵌入式仪器的冗余备份原理框图和相关处理技术.
嵌入式 可靠性 冗余备份 
光学 精密工程
2004, 12(z1): 104
作者单位
摘要
1 北京理工大学光电工程系, 北京 100081
2 西南技术物理所, 成都 610041
对一种适用于Nd3+:YAG激光系统的新型被动Q开关掺铬钇铝石镏石(Cr4+:YAG)进行了实验研究,得到单脉冲能量为145 mJ、脉宽为30~40 ns、效率接近1%、动静比达40%以上的结果。
被动Q开关 
光学学报
1996, 16(8): 1191
作者单位
摘要
北京理工大学工程光学系
本文将染料激光系统模式耦合理论应用于三频或多频运转的染料激光器,得到了用“增益-损耗比”和振荡频率所含模数等参量表示的振荡条件关系式,讨论了三频染料激光的振荡状态图及其相关调谐问题.
多频激光器 染料激光器 相关调谐 调谐原理 
光学学报
1990, 10(10): 881
作者单位
摘要
北京工业学院
本文将模式耦合理论应用于双频染料激光器,得到了双频染料激光器的振荡条件和振荡状态图,提出了双频染料激光器的相关调谐原理,并进行了讨论.
中国激光
1988, 15(5): 272
作者单位
摘要
北京工业学院
本文以棱镜的扩束倍率M和材料折射率n为基本参数,全面地分析了扩束棱镜及其系统的损耗特性。提出了扩束棱镜透过性能的最优设计方法。
中国激光
1987, 14(4): 216
作者单位
摘要
北京工业学院工程光学系
本文介绍一种新型棱镜分光系统,它应用变束棱镜角色散放大分光的原理,它比传统三棱镜分光的色散和分辨率高10~10~2倍。当用这种变束镜成对地组成分光系统时,在分光过程中,出射光与入射光方向间的偏转角保持不变。
变束棱镜 分光系统 角色散 恒偏向 
光学学报
1987, 7(9): 858

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