基于混合集成的方式，采用对称锥形渐变线匹配结构设计了335 GHz非平衡式三倍频器。在保证单模传输的条件下，该匹配结构不仅能够固定二极管位置，而且可以增大匹配效果，解决了高频段倍频器3 dB带宽较窄的问题。实测结果表明，该倍频器在330~356 GHz频率范围内输出功率均大于5 mW。驱动功率为220 mW时，有最高输出功率11.2 mW，由它作为核心器件组成的固态太赫兹本振源，能够驱动超外差接收机中670 GHz二次谐波混频器。

针对传统应变检测方法中存在的操作过程复杂、无法实现实时测量和受环境影响较大等问题，采用数字图像相关（DIC）方法对铜/铝复层板及其组分材料拉伸过程中的应变数值进行实时测量，将该测量结果与拉伸机获得结果、有限元模拟测量结果相互对比，结果表明：基于DIC方法和拉伸试验所得铜板、铝板及铜/铝复层板的应变曲线很接近；DIC测量所得主应变与有限元模拟主应变具有较高一致性，且表面应变分布和最大主应变基本相同，其应变相差最大为0.442%，最小为0.008%；有限元模拟所得应变差值变化较大，最大变化为4.950%，DIC方法所得应变差值变化较小，最大变化为0.693%。在该基础上，通过引入应变差值来对比研究DIC方法和有限元方法所得结果精度，证明了DIC方法用于铜/铝复层板拉伸应变检测的可行性和优越性。

基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线，自主完成了750~1 100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1 030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能，将传统的场路结合的设计方法进行了扩展，引入器件的参数优化，并建立起两者互为反馈的关系，从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3 μm，并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1 100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试，在1 020~1 044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB，在1 030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。

基于国内的GaAs单片集成电路产线，研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗，减小安装的位置偏移。实测结果表明，0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB，0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。

材料表面粗糙度会影响太赫兹无损检测结果。当材料表面粗糙度在微波区可以忽略不计时，在波长更短的太赫兹频段则需要考虑在内。研究讨论了在太赫兹频率下粗糙表面散射对反射谱的影响。通过考虑单个样品的反射模型，利用基尔霍夫近似可以将粗糙表面的反射信号与光滑表面的反射信号进行关联。此外，采用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统对不同粗糙度的葡萄糖片进行了测量，并对其反射光谱进行了分析。反射光谱结果表明，由于表面粗糙度引起的漫散射减弱了接收端反射光谱的强度。为了减小粗糙度对光谱的影响，提出了一种能恢复光谱功率的补偿方法。在0.5 THz和1 THz时，具有360目粗糙度规格样品的功率谱分别增加了约3 dB和9 dB。因此，可以认为所提出的粗糙表面光谱补偿方法在未来太赫兹无损检测技术的发展中具有一个特定的参考价值。

针对冰云探测设备的预研，详细介绍了一款基于肖特基二极管的低变频损耗670 GHz四次谐波混频器.为了提升混频效率，采用两级紧凑微带共振单元（CMRC）本振低通滤波器来抑制射频信号、本振三次谐波及二次谐波混频产物.由于本振频率仅为射频频率的四分之一，大大降低了本振链路的复杂度和成本.测试结果表明，在640~700 GHz频带内单边带变频损耗为16.7~22.1 dB，在665 GHz最优单边带变频损耗为16.8 dB.