采用第一性原理计算方法，对本征Mn4Si7以及P和As掺杂的Mn4Si7的电子结构和光学性质进行计算解析。计算结果表明本征Mn4Si7是带隙值为0.810 eV的间接带隙半导体材料，P掺杂Mn4Si7的带隙值增大为0.839 eV，As掺杂Mn4Si7的带隙值减小为0.752 eV。掺杂使得Mn4Si7的能带结构和态密度向低能方向移动，同时使得介电函数的实数部分在低能区明显增大，虚数部分几乎全部区域增加且8 eV以后趋向于零。此外掺杂还增加了高能区的消光系数、吸收系数、反射系数以及光电导率，明显改善了Mn4Si7的光学性质。

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法, 计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV, Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV。掺杂使得 Mn4Si7费米面附近的电子结构发生改变, 导带底由Γ点转移为Y 点向低能方向下偏移, 价带顶向高能方 向上偏移, 带隙变窄。计算还表明Mo掺杂 Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加。

采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论,验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性,计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明,不同于三维GaAs,二维GaAs最高的两个能带相互交叠,显示出金属性;维度的降低使得As的s态和p态电子相互作用增强,产生较多的态密度峰,且峰位向低能方向移动;低能带主要由Ga-d态、As-s态和As-p态构成;高能带主要由As-s态和As-p态构成;二维GaAs静态介电常数为3.67,对紫外光具有较强的吸收作用,在光子能量3.90~4.71 eV和5.69~6.90 eV范围表现出金属反射特性。

帧间差分法是运动目标检测最为常用的方法之一, 具有算法简单、数据处理量小、易于实现等优点, 因而得到广泛应用。而帧间差分法通常是根据单一的光照条件设定的固定阈值以判断是否有运动物体, 因此限制了其在不同光照条件下的应用。针对上述情况, 以色度、饱和度、亮度(HSL)颜色空间中的亮度值为依据, 建立光强-亮度-阈值表, 从而以动态的阈值调整拓展了帧间差分法在不同光照条件下的应用。通过仿真和FPGA实现了该目标检测系统, 并搭建了验证测试系统。实验结果表明, 当光照强度为90 W/m2时, 在3.0 m/s和0.5 m/s速度下, 自适应阈值的检测正确率分别达到93%和95%, 与固定阈值设定较大时的检测结果相近; 在0.59 W/m2的低光照条件下针对上述运动速度, 检测率分别达到84%和92%, 与小固定阈值检测结果相近。

采用射频磁控溅射技术在Si(111)基片上制备金属锰膜, 用椭圆偏振光谱在2.0~4.0eV光子能量范围内研究了溅射压强对锰膜光学性质的影响.分别用德鲁得-洛伦兹模型以及有效介质模型对椭偏参数进行拟合, 结果表明随压强增大薄膜致密度先增大后减少; 折射率随压强增大先减少后增大; 而消光系数随压强的变化与光子能量有关, 在低能量区变化复杂, 高能量区随压强增加与折射率规律一致.分析表明上述变化与薄膜的致密度密切相关.

报道了退火对电子回旋共振(ECR)辅助脉冲激光溅射方法制备的CNx薄膜样品光学性质的影响.X射线衍射(XRD)结果显示CNx薄膜基本为无定形结构,但存在微量的多晶结构.拉曼散射谱显示所制备的CNx薄膜样品主要由CN、少量的C-C和微量的CN组成.随着退火温度的升高,拉曼散射谱不但在1357cm-1附近出现了一个新峰(新峰对应无序的CN键),而且CN和CN的相对含量比随着退火温度的提高大致呈先减小后增大再减小的趋势,从而证实在退火过程中部分N原子发生了迁移.椭偏仪所测?康腃Nx薄膜的光学常数表明退火温度对ε1、ε2、n、k的大小和谱线的形状均产生了显著影响.结合拉曼散射谱可断定其原因为退火改变了CNx薄膜样品的内部结构和键结构.实验中得到的ε1、ε2、n、k随光子能量的变化关系可用洛伦兹色散理论得到很好解释.

采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数,测量能量范围为1.5～4.5eV.分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数的影响.实验结果表明,在低能区域,随压强的增加,多层膜结构的所有光学常数均有不同程度的增加,但在高能区域,溅射气压对光学常数的影响不再明显.多层膜结构的复介电常数的实部和虚部及折射率n的峰位随压强增大而向低能方向位移;多层膜结构的消光系数k的峰位随压强的变化很小，但其峰值随压强的增加而增加.