色偏是评价面板显示性能的重要指标之一。为评估面板关键因素对色偏的影响, 使理论模拟结果符合实际测试结果, 本文研究了ADS类产品子像素状态和偏光片本征模式对面板色偏的影响。首先, 基于RGB &RGBW产品的模拟和测试结果, 理论阐述了两种彩膜方案对色偏的影响, 在此基础上提出一种新的ADS类产品色偏评价方法, 即考虑不同灰阶相邻子像素的相互影响, 对目标子像素的三刺激值进行叠加运算, 进而输出色偏模拟值。在超大视角(θ=-80°, 80°)下, ΔE模拟值与实测值的差值由现有方法的0.19和0.17降低为0.03和0.05。其次比较了偏光片本征模式对色偏的影响, 结果表明ADS双畴设计下O-mode具有色偏优势。本文提出的色偏计算方法与现有方法相比, 对面板色偏拟合效果更好, 同时对于ADS类面板而言, 偏光片O-mode模式是一种能够减轻色偏的设计。

线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良, 本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况, 从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先, 通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出, 然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值, 最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比, 同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明: 公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性; 信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系; 信号线与公共电极线的单位交叠面积从66 μm2降到37 μm2时, 其公共电极电压畸变程度降低了63%; 增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像, 当距离从1.49 μm增大到2.39 μm时, 公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平, 对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。

通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究，考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明，通过减小驱动信号线电压，或提高驱动信号的反转频率，均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46，耦合电压幅值由240 mV降为34.8 mV；当驱动信号方式由帧反转变为点反转时，耦合电压幅值由112.6 mV降为63.1 mV，有效地改善了线残像，并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理，为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。

本文叙述了用于倍频激光测量的能量计原理、结构。给出的工作参数满足神光装置中短波长、短脉冲激光能量测量的要求。能量计整机不确定度为±5％。

本文叙述了离子和X射线能量计的原理、结构及其定标特性。在激光等离子体实验中得到了一些结果,并作了分析和讨论。