作者单位
摘要
上海大学 材料科学与工程学院, 上海200444
采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征, 结果表明: 在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中, Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%; 而经1 000 ℃/2 h的氢气气氛下退火后, LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明: 当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时, Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。 氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性, 未观察到热猝灭现象发生。
化合价 X-射线吸收近边结构 VUV光谱 LSO∶Ce LSO∶Ce valence state XANES VUV spectra 
发光学报
2014, 35(9): 1027

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