1 上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200444
2 上海大学 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室, 上海 200072
采用热处理烧结方法制备了含CsPbBr3钙钛矿量子点的硅酸盐基氟氧化物玻璃陶瓷（SiO2-Al2O3-Li2O-AlF3-LiF)。通过X射线衍射分析了玻璃的自析晶现象与量子点生长之间的关系; TEM透射电镜分析了量子点的形貌特征; 荧光光谱、吸收光谱和CIE色坐标等表征分析了量子点的发光特性。结果表明, 最佳条件制备得到的含CsPbBr3量子点的玻璃陶瓷材料可实现512 nm强绿光发射, 半峰宽22.80 nm。将该玻璃陶瓷与365 nm紫外芯片封装构建绿光发光二极管（LED), 有望替代绿色荧光粉成为新型固体发光领域的关键材料。
CsPbBr3钙钛矿量子点 玻璃陶瓷 热处理烧结 绿色LED CsPbBr3 perovskite quantum dots glass ceramic re-heat treatment green LED
上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200444
本研究以ZnO透明陶瓷为研究对象, 基于Mie理论及Rayleigh-Debye近似散射理论, 建立了单轴六方晶系透明陶瓷的双折射散射与其直线光学透过率之间关联的理论模型, 阐明了ZnO透明陶瓷光学直线透过率随晶粒尺寸减小、陶瓷织构度的提升而增大的关系。采用强磁场下的注浆成型工艺结合优化放电等离子体烧结参数, 实现了ZnO透明陶瓷显微结构的有效调控, 使得制备的ZnO透明陶瓷符合模型要求。实验结果表明: 当ZnO陶瓷平均晶粒尺寸从1.72 μm减小至0.66 μm时, 其600 nm处的直线透过率从5.1%提高到12.9%; 对于亚微米级ZnO陶瓷(平均晶粒尺寸0.35 μm), 当陶瓷织构度从4.0%提高到24.7%时(XRD计算), 样品光学直线透过率从21.6%提升到36.6%。所获得实验结果与构建的理论模型计算结果吻合, 证实了所构建的模型。
ZnO 双折射 织构 透过率 ZnO birefringence texture transmittance
采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征, 结果表明: 在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中, Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%～39%; 而经1 000 ℃/2 h的氢气气氛下退火后, LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明: 当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%～1%时, Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。 氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50～250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性, 未观察到热猝灭现象发生。
化合价 X-射线吸收近边结构 VUV光谱 LSO∶Ce LSO∶Ce valence state XANES VUV spectra
1 上海大学材料科学与工程学院 电子信息材料系， 上海200072
2 中国科学院 上海硅酸盐研究所， 上海200050
采用Pechini 溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5) 薄膜，利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV) 及椭偏(SE) 测试对Ce∶Lu2SiO5 薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明: 薄膜样品从900 ℃开始晶化，1 100 ℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射，发射光谱是一个350～500 nm 的宽带谱，宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82～1.94和0.005～0.05，厚度与SEM测试结果相一致。
溶胶-凝胶法 Ce∶LSO薄膜 发光 真空紫外光谱 光学常数 sol-gel method Ce∶LSO film luminescence VUV spectra optical constants
