吴昊 1,2,3朱一帆 1,3,4丁青峰 1,2,3张金峰 1,3[ ... ]秦华 1,2,3
作者单位
摘要
1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室,江苏 苏州 215123
2 上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210
3 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 江苏省纳米器件重点实验室,江苏 苏州 215123
4 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院,安徽 合肥 230026
为充分发挥AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 (High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)太赫兹探测器阵列的高电子迁移率优势,文中研究了HEMT太赫兹探测器阵列在77 K下的探测特性。使用液氮杜瓦为降温主体搭建了适用于焦平面 (Focal-Plane Array, FPA)芯片的低温系统,实现了对焦平面芯片常温与低温下的对比测试。温度从300 K降到77 K时,探测器阵列像元的平均响应度提高近3倍,平均噪声有小幅增大,340 GHz时平均噪声等效功率 (Noise Equivalent Power, NEP)从45.1 pW/Hz1/2降低到了19.4 pW/Hz1/2,灵敏度提高两倍以上。与硅透镜耦合的单元探测器相比,阵列像元的灵敏度提升仍有较大空间。主要是由于各像素点最佳工作电压的不一致,导致在给定统一工作电压下像元间的响应度和噪声都表现出较大的离散性,文中讨论了降低最佳工作电压离散度的可能解决方案。
太赫兹探测器 低温焦平面 成像芯片 氮化镓HEMT terahertz detector low-temperature focal-plane imaging chip gallium nitride HEMT 
红外与激光工程
2022, 51(12): 20220225
作者单位
摘要
新疆师范大学物理与电子工程学院,新疆 乌鲁木齐 830054
由于构成一个开放量子系统周围环境的热库里总是同时含有玻色子和费米子,用混杂库而不是单一的玻色库或费米库来描述系统的热库是比较符合实际的。利用非马尔可夫量子态扩散方法,研究了同时耦合于非马尔可夫玻色库与费米库的海森伯XYZ自旋链模型的量子纠缠和量子稠密编码信道容量的动力学演化特性,并与单一非马尔可夫库中的情况进行比较。数值模拟结果显示,与单一非马尔可夫库相比,与一个混杂非马尔可夫库耦合的海森伯自旋链模型显示出更高的纠缠度、更优的量子稠密编码以及更长的弛豫时间。这说明在提高量子纠缠、优化量子稠密编码方面,混杂非马尔可夫库比单一非马尔可夫库更有优势。
量子光学 混杂非马尔可夫库 环境记忆效应 量子纠缠 量子稠密编码 量子态扩散方法 
激光与光电子学进展
2022, 59(5): 0527002
作者单位
摘要
新疆师范大学物理与电子工程学院, 乌鲁木齐 830054
本文主要研究了在非马尔可夫环境下在时变磁场中具有各种参数的交互作用非常丰富的两个比特的海森堡XYZ模型的量子稠密编码的性质。通过量子态扩散方法Quantum State Diffusion Method(QSD)模拟了信道容量χ随时间的演化关系。经过数值模拟显示: 量子稠密编码对环境关联系数γ、耦合系数J和Jz以及余弦磁场的强度B都有依赖。当环境关联系数γ变小时也就是非马尔科夫特性增加时, 量子稠密编码的信道容量χ明显呈现上升趋势。在这里值得提出的是较小的耦合系数Jz、较大的耦合系数J、和较强的时变磁场强度B对于在本系统下进行有效的量子稠密编码是非常有用的, 其中在非马尔科夫情形下非常明显, 这对能够有效地进行信息传输非常的重要。
非马尔可夫环境 量子稠密编码 QSD方法 Non-Markov Environment Quantum Dense Encoding QSD methods 
量子光学学报
2021, 27(1): 45
作者单位
摘要
1 山东科技大学 机械电子工程学院, 山东 青岛 266590
2 东北大学 机械与自动化学院, 辽宁 沈阳 110819
为了提高和改善微沟槽表面质量, 设计了高速微铣削实验, 研究了微沟槽底面表面粗糙度和侧壁残留毛刺的变化规律。从理论角度引入了已加工表面的形成机理, 建立了微观表面粗糙度理论模型, 提出了刀具跳动对侧壁形貌变化影响的规律。利用三轴联动精密微细铣削机床加工微细直沟槽, 并选取主轴转速、轴向切深、进给速度、刀具跳动量和材料组织结构为研究因素。采用多因素正交实验和极差分析法, 对表面粗糙度值进行数值分析。铝合金, 钢和钛合金三类微沟槽底面对应的最佳表面粗糙度值变化范围分别为1.073~1.481 μm, 0.485~0.883 μm, 0.235~0.267 μm; 无刀具跳动钛合金微沟槽壁毛刺的最大高度为7.637 μm, 而当刀具存在0.3 μm的径向综合跳动量时对应的微槽壁毛刺的最大高度为21.79 μm。铣削参数对表面粗糙度值的影响按从大到小依次为进给速度、主轴转速、轴向切深, 且随着进给速度和轴向切深的增大, 表面粗糙度值增大; 随着主轴转速的增大, 表面粗糙度值先减小后增大; 在相同加工条件下, 若微圆弧刀刃无磨损, 微刀具的跳动量对微直沟槽侧壁表面质量有较大影响。同时, 不同金属材料特性也是影响微沟槽表面质量的潜在因素。
表面粗糙度 铣削参量 切削厚度 刀具跳动 surface roughness milling parameters milling thickness tool run-out 
光学 精密工程
2018, 26(12): 2998
罗木昌 1,*孙建东 2张志鹏 2李想 2,3[ ... ]秦华 2
作者单位
摘要
1 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中国科学院纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
3 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院, 江苏 苏州 215123
太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求, 设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成像传感器由探测器阵列芯片和CMOS读出电路通过倒装互连实现, 阵列规模达到32×32。探测器阵列中具有对管差分功能的像元设计通过提高探测器的电压响应度和抑制共模电压噪声, 提高了焦平面成像的灵敏度。焦平面成像传感器的输出模拟信号通过片外的模数转换(ADC)芯片转化为数字信号, 由现场可编程门阵列(FPGA)采集后通过Camera Link图像数据与通信接口发送到计算机。利用该焦平面成像传感器, 演示实现了太赫兹光斑、太赫兹干涉环和太赫兹光照下的旋转塑料叶片的视频成像, 帧频达到30 Hz。
太赫兹自混频探测器 高电子迁移率晶体管 CMOS读出电路 焦平面成像 terahertz self-mixing detector high-electron-mobility transistor CMOS readout integrated circuit focal plane array 
红外与激光工程
2018, 47(3): 0320001

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