用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响.结果表明:合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性能很重要.Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早,气流混合时间长,GaN:Si膜的黄带与带边发射强度之比较大,X射线双晶衍射半高宽较宽;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚,尽管可减少预反应,但气流混合不均匀,致使GaN:Si膜的发光性能及结晶性能变差.使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长,获得了光电及结晶性能良好的GaN:Si单晶膜.
金属有机气相沉积技术 黄带
以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了分析.研究表明,金属有机汽相沉积生长高In组分InxGa1-xN薄膜有一最佳TMIn/TEGa摩尔流量比.在一定范围内,降低其摩尔流量比,合金的生长速率增高,In组分提高;进一步降低TMIn/TEGa摩尔流量比,导致In组分下降.研究还表明,InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而下降,InGaN薄膜的In组分由0.04增大到0.10,其最低沟道产额比由4.1%增至11.0%.
金属有机汽相沉积 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光
