1 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
2 四川压电与声光技术研究所,重庆,400060
3 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900
利用射频磁控溅射法对0.8Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+0.2PbO的陶瓷靶进行溅射,在5英寸的TiOx/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了PZT薄膜.实验表明,PZT薄膜的取向由(111)到(100)的改变可以通过精确控制基片温度来实现.(111)取向的薄膜具有良好的介电、铁电和热释电性能,其剩余极化强度、介电常数、介电损耗、矫顽场和热释电系数分别为20μC/cm2,370,1.5%,130kV/cm和1.1×10-8C/cm2K,该薄膜可望在非制冷红外焦平面探测器阵列中得到应用.
PZT薄膜 射频磁控溅射 非制冷红外焦平面 探测器阵列 lead zirconate titanate films RF-magnetron sputtering uncooled infrared focal plane detector arrays
