随着白光LED技术的迅速发展, 传统YAG∶Ce3+荧光粉由于低显色性、 高色温等因素制约而难以满足发展需求。 利用近紫外芯片激发三基色荧光粉成为获得白光LED的一种有效途径, 因而发展高性能三基色荧光粉具有重要意义, 尤其红光发光材料更是当务之急。 硅氮基化合物包含由SiN4四面体构成的网络结构, 具有很高的化学稳定性和热稳定性。 该类荧光粉因其结构的多样性, 且在紫外-蓝光区具有高的吸收效率, 因而随着基质和激活离子的改变, 发射光谱可覆盖整个可见光区域, 并具有较高的光转换效率和光色稳定性, 对温度和驱动电流的变化不敏感等优点, 因而此类研究对白光LED的发展具有深远的影响。 综述了近年来硅氮基荧光粉制备方法及研究的最新进展, 系统地归纳总结了硅氮基荧光粉的晶体结构及发光性能等特性, 并分析了目前国际上对该材料的研究动态及应用情况。

采用高温固相法合成了一种新型单基质Sr3-2xLi1+xMgV3O12∶xEu3+荧光粉, 研究了其在不同的合成温度及Eu3+掺杂浓度等条件下的发光性能。 利用X射线衍射仪(XRD)、 扫描电镜(SEM)和荧光光谱仪(PL)等对样品进行表征。 荧光光谱表明Sr3-2xLi1+xMgV3O12∶xEu3+荧光粉具有与近紫外芯片相匹配的激发光谱, 其宽阔的发射光谱(450～630 nm)使得该类物质具有作为白光LED用单基质荧光粉的巨大优势。