基于双温区法生长的高质量DAST(4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯酸盐)晶体，成功搭建了高能量、超宽带可调谐差频THz辐射源，系统尺寸40 cm×25 cm，调谐范围达到0.3~19.6 THz，最大输出能量达到4.02 μJ/pulse@18.6 THz，信噪比最高达到32.24 dB，结合振镜扫描技术，以0.1 THz为步长，超宽带光谱扫描时间小于1 min.实验中观测到差频产生THz波的输出饱和现象并研究了基于DAST晶体差频产生THz波的偏振特性与传输特性，证明基于DAST晶体差频产生的THz波消光比达到0.05，且差频过程满足0类相位匹配条件.基于该太赫兹辐射源，对多种固体样品在2~14 THz范围内的超宽带THz光谱信息进行了有效获取.

研究了化学机械抛光（ CMP）过程中抛光液组分对硫化镉（ CdS）晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、 pH值对 CdS晶片表面粗糙度的影响后，得到了用于 CdS晶片 Cd面 CMP的抛光液配比，即磨粒 SiO2浓度为 20%，氧化剂 NaClO的浓度为 2.5%，pH值为 10.64。在优化其他工艺条件下，采用该抛光液对 CdS晶片 Cd面进行抛光，可以获得高质量的抛光表面，经原子力显微镜（AFM）测试，在 10 .m×10 .m的区域内，Cd面表面粗糙度 Ra仅为 0.171 nm。该抛光液也适用于 S面的抛光，S面表面粗糙度 Ra可达到 0.568 nm，从而达到双面共用的效果。