河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室， 河北 保定 071002
以SiH4与H2作为前驱气体，采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明，随着氢稀释比增加，薄膜的晶化率明显提高，而氢稀释比过高时，薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明，纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加，薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少，而在高氢稀释比条件下，氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加.
纳米晶硅薄膜 晶化率 氢稀释 生长机理 Nanocrystalline silicon films Crystallization rate Hydrogen dilution Growth mechanism
河北大学 物理科学与技术学院, 河北 保定 071002
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅粒子, 并对其溶液发光的稳态和瞬态特性进行了研究。稳态光致发光结果显示, 新制备的纳米硅粉体表现为峰值位于440 nm附近的蓝色发光, 经长时间氧化后, 该波段发光强度显著增强, 并且出现另一峰值位于750 nm附近的红色发光带。不同波长激发和时间分辨光致发光谱的分析表明, 纳米硅粒子蓝色发光归因于粒子内部载流子的带-带跃迁过程, 衰减时间在纳秒量级, 氧化造成该波段发光衰减时间常数增加。氧化后出现的红色发光来源于载流子经由表面缺陷态的辐射复合, 该发光衰减寿命微秒量级。
纳米硅粒子 射频等离子体增强化学气相沉积 光致发光 silicon nanoparticle radio-frequency plasmas-enhanced chemical vapor de photoluminescence
1 南开大学物理学院,天津,300071
2 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州,510640
3 GangUNIAX Corporation/DuPont Displays Santa Barbara, California,93117
测量了由修正的Gilch方法制作的MEH-PPV薄膜的反射光谱,对于玻璃基底对反射谱的影响做了修正.利用了修正后的反射谱进行了kk变换,获得了薄膜的折射率n.再用计算所得的数据反算出薄膜的反射率与测量的反射谱是一致的,获得的折射率随波长的变化与测量的吸收谱是相对应的,对所得结果进行了误差分析.
折射率 反射谱 kk变换 Refraction index Reflection spectrum The KK relation MEH-PPV MEH-PPV
