从传感器的响应及电子扩散原理分析了影响CMOS阵列串扰特性的几个主要因素。选择了锗、硅、砷化镓这几种常见的光电材料，分析并比较了材料特性对CMOS阵列串扰特性的影响。具体分析了三种光电材料在各自光谱响应峰值波长下，不同入射条件和结构参数对应电串扰的输出情况。结果表明：在相同条件下，锗材料制作的CMOS阵列具有最大的电串扰输出，在结构条件一致的前提下，入射光的功率在200 μW时，锗材料CMOS阵列的串扰比硅和砷化镓材料分别高了58.97 mV、115.81 mV。结构参数对不同材料CMOS阵列具有相同的影响规律，但是锗材料CMOS的串扰变化最为显著，在其他参数不变的情况下，耗尽层宽度为1 μm时，锗材料CMOS的串扰输出比硅和砷化镓材料的分别高了56.67 mV、121.84 mV。分析结果为CMOS阵列材料的选择及串扰抑制技术提供了参考数据。

根据傅里叶热传导理论和热应力场理论,利用COMSOL仿真软件和Matlab软件构建了复合激光辐照下三结GaAs太阳能电池的复合损伤模型,计算了单毫秒激光和复合脉冲激光辐照下太阳能电池的温度和应力场分布。结果表明,相比单毫秒激光,复合激光辐照会产生更大范围的熔化损伤并且伴随出现明显的应力损伤,损伤面积和深度会随着纳秒脉冲激光能量密度和作用时间延时的增加而增加。能量密度增加到0.5 J/cm 2时,熔化损伤半径增大到2 mm,深度增大到1.5 μm;时间延时增加到0.5 ms时,熔化损伤半径增大到1.4 mm,深度增大到1 μm。

针对发生损伤后三结GaAs电池的电学特性进行了研究。从三结电池的等效电路模型出发, 根据光伏效应相关理论, 建立了GaAs三结电池损伤分析模型, 具体计算了损伤发生在不同位置时, 光电池输出电压、功率、效率的变化。结果表明, 顶结发生热熔损伤对电池的电学特性影响最大, 将直接导致光电转换效率下降17.23%。中结发生热熔损伤对电池的电学特性影响次之, 将引起4.23%的效率下降。底结损伤对电池的电学特性影响相对最小, 所导致的光电转换效率下降量为2.42%。

铼具有高体积弹性模量、 高熔点、 优良的抗蠕变性能, 是一种重要科学研究与工程应用材料。 铼的弹性剪切系数C44对温度和压力的响应特性对铼及其合金材料的设计与工程应用具有重要意义。 激光拉曼散射技术在研究不同温度和压力条件下六方密堆积结构(hcp)金属的弹性剪切系数C44上具有独特的优势。 但由于金属的强反射作用和浅的穿透深度, hcp金属的低波数拉曼散射信号往往很难获取, 在一定的温度和压力加载下拉曼信号的获取尤为困难。 利用侧向激发拉曼散射技术, 有效降低了金属强反射对拉曼光谱采集的影响, 成功测量到多晶铼在不同压力与温度条件下的E2g拉曼振动模, 获得铼在常温常压条件的弹性剪切系数(C44=133 GPa)以及其弹性剪切系数C44对温度和压力的响应特性。 研究结果表明, 多晶铼的弹性剪切系数C44模量随压强的增加而增大, 随温度的增加而减小。 这也为用光散射方法研究金属材料剪切模量提供了良好研究方法。