本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠( NaClO)为氧化剂制备适用于 CZT晶片的化学机械抛光液。采用 XPS能谱分析 CZT表面元素化学态, 研究 CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理, 使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中 NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面 PV值及表面粗糙度 Ra的影响。结果表明, 硅溶胶 -次氯酸钠抛光液通过与 CZT晶体中 Te单质或 CdTe发生化学反应, 生成 TeO2。随后在一定压力下, 抛光盘与 CZT晶片发生相对运动, 并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物。当 NaClO含量在 2%～10%时, 随着 NaClO含量的增加, 晶片表面 PV值和粗糙度 Ra值先降低后升高, 去除速率则随着 NaClO含量的增加而增加。NaClO含量为 6%时, PV值和 Ra值最低, 得到的晶片表面质量最好。

化学机械抛光工艺是碲锌镉(Cadmium Zinc Telluride, CZT)晶体表面处理的关键技术之一。其中, 化学机械抛光液是影响晶片表面质量的重要因素。目前用于CZT晶片的抛光液主 要是依靠进口的碱性抛光液, 这严重制约了我国CZT晶体研究的发展。采用硅溶胶和次 氯酸钠(NaClO)溶液作为主要原料, 制备了碱性化学机械抛光液。然后采用该抛光液对CZT晶 片表面进行了化学机械抛光, 并对抛光表面进行了表征。实验结果表明, 抛光后晶片表 面的粗糙度小于2 nm, 因此采用硅溶胶-次氯酸钠碱性抛光液可制备出高质量的CZT抛光表面。