主要从碲锌镉表面处理工艺及表面位错缺陷揭示两个方面对碲锌镉衬底的表面处理研究进行了详细介绍。从表面处理机理和工艺参数对衬底表面的影响两个方面介绍了机械研磨、机械抛光、化学机械抛光以及化学抛光 4种表面处理工艺。同时, 介绍了能揭示碲锌镉不同晶向表面的位错缺陷的 Everson、Nakagawa及 EAg三种化学腐蚀液。
碲锌镉(CZT) 表面处理 位错揭示 cadmium zinc telluride (CZT), surface processing,
1 武汉大学电子信息学院，湖北 武汉 430072
2 武汉大学深圳研究院，广东 深圳 518000
3 中国民航飞行学院 洛阳分院，河南 洛阳 471001
增加相参积累时间是一种提高雷达探测能力的有效方法，但当目标速度较高时，长时间相参积累会导致目标出现距离徙动效应，从而降低了信噪比，影响雷达的探测威力。针对距离徙动问题，本文给出了Keystone变换(KT)校正算法，仿真评估了三种实现KT方法的性能，进而提出并实现了基于图形处理器(GPU)的线性调频Z变换(CZT)并行算法，结合外辐射源雷达实验证实了该方法的实时性和有效性。
外辐射源雷达 距离徙动 Keystone变换 线性调频Z变换 图形处理器 passive radar range migration Keystone Transform Chirp Z Transform(CZT) Graphics Processing Unit(GPU) 太赫兹科学与电子信息学报
2021, 19(5): 851
1 中国科学院大学，北京 100049
2 中国科学院红外探测与成像技术实验室，上海 200083
大气垂直探测仪在进行光谱定标或者光谱分析时，对局部光谱的光谱分辨率有较高的要求，这时需要对光谱进行细化处理。传统的光谱细化，多采用DTFT、DCT 等方法，计算量非常大，即使采用优化的CZT 算法，其计算量也是非常巨大的。随着市面上大量多核处理器的出现，使得利用多核处理器对CZT 算法进行快速并行优化成为可能。本文介绍了一种基于多核并行实现CZT 的算法并分析了算法运算量，在TMS320C6678 多核DSP 处理器上进行了验证。实验结果表明，该方法可以极大地缩短CZT 的运行时间，同时可以通过调整参数控制对底层资源的使用，为实现大点数的频谱细化提供了一种全新的解决方案。
大气垂直探测仪 光谱定标 光谱细化 多核并行 atmospheric vertical sounding instrument spectral calibration spectral refinement CZT CZT multi-core parallel
1 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072
2 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠( NaClO)为氧化剂制备适用于 CZT晶片的化学机械抛光液。采用 XPS能谱分析 CZT表面元素化学态, 研究 CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理, 使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中 NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面 PV值及表面粗糙度 Ra的影响。结果表明, 硅溶胶 -次氯酸钠抛光液通过与 CZT晶体中 Te单质或 CdTe发生化学反应, 生成 TeO2。随后在一定压力下, 抛光盘与 CZT晶片发生相对运动, 并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物。当 NaClO含量在 2%～10%时, 随着 NaClO含量的增加, 晶片表面 PV值和粗糙度 Ra值先降低后升高, 去除速率则随着 NaClO含量的增加而增加。NaClO含量为 6%时, PV值和 Ra值最低, 得到的晶片表面质量最好。
化学机械抛光 CZT晶体 粗糙度 平整度 chemical-mechanical polishing CZT crystal roughness flatness
1 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072
2 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
化学机械抛光工艺是碲锌镉(Cadmium Zinc Telluride, CZT)晶体表面处理的关键技术之一。其中, 化学机械抛光液是影响晶片表面质量的重要因素。目前用于CZT晶片的抛光液主 要是依靠进口的碱性抛光液, 这严重制约了我国CZT晶体研究的发展。采用硅溶胶和次 氯酸钠(NaClO)溶液作为主要原料, 制备了碱性化学机械抛光液。然后采用该抛光液对CZT晶 片表面进行了化学机械抛光, 并对抛光表面进行了表征。实验结果表明, 抛光后晶片表 面的粗糙度小于2 nm, 因此采用硅溶胶-次氯酸钠碱性抛光液可制备出高质量的CZT抛光表面。
化学机械抛光 粗糙度 chemical-mechanical polishing CZT CZT roughness
四川大学 材料科学与工程学院, 成都 610065
具有禁带宽度在1.45～2.25eV连续可调特性的Cd1-xZnxTe（CZT）薄膜, 用于顶电池在叠层薄膜太阳电池中有巨大的应用潜力。文章使用AMPS-1D对CdS/CZT结构的薄膜太阳电池进行模拟, 研究了CZT与金属接触的背电极势垒、CZT薄膜厚度及掺杂浓度对CdS/CZT电池器件性能的影响。结果表明, 需要采用功函数高（大于5.8eV）的金属作为背电极以消除背电极势垒；CZT薄膜厚度低于10μm时, 增加厚度有助于增大电池短路电流；当CZT具有适当厚度（～6μm）时, 对CZT层进行重掺杂（掺杂浓度1019～1021cm-3）有助于获得更高效率的CdS/CZT电池。
数值模拟 叠层电池 效率 CZT CZT numerical simulations laminated cell efficiency
