长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 ℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显著提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。
材料 GaAs/AlGaAs 量子阱 互扩散 快速热退火 激光与光电子学进展
2018, 55(5): 051603
