作者单位
摘要
中国建筑材料科学研究总院有限公司,北京 100024
熔盐中少量的Na+并不会对玻璃的离子交换效果产生明显影响,但当熔盐中Na+浓度不断增大时,化学增强钠铝硅酸盐玻璃的性能开始受到影响。本文采用一步法离子交换工艺研究了熔盐中Na+浓度对不同厚度化学增强钠铝硅酸盐玻璃表面压应力、应力层深度和弯曲强度等性能的影响。研究表明:熔盐中Na+浓度不断增大时,化学增强钠铝硅酸盐玻璃的表面压应力、弯曲强度下降;弯曲强度下降最多可达175 MPa,此时玻璃的表面压应力下降了57.4 MPa;熔盐中Na+浓度变化未对化学增强钠铝硅酸盐玻璃的应力层深度和可见光透过率产生明显影响。
钠铝硅酸盐玻璃 Na+浓度 离子交换 弯曲强度 离子互扩散系数 半无限扩散模型 sodium aluminosilicate glass Na+ concentration ionexchange bending strength interdiffusion coefficient of ion semiinfinite diffusion model 
硅酸盐通报
2022, 41(11): 3945
作者单位
摘要
上海大学材料科学与工程学院, 上海 200444
近年来, 碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点, 适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题。本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接触性能, 采用两步沉积工艺制备Ti/Au复合电极。通过AFM、FIB/TEM、XPS、I-V等测试方法研究了电极与CdZnTe的界面结构、化学成分和电学性能。结果表明, Ti过渡层的引入可以减轻和改善晶片抛光过程中形成的损伤层, 增加了电极与晶体之间的欧姆特性。相比于CdZnTe (111)B面上的Cr/Au复合电极, Ti/Au复合电极的粗糙度更低、接触界面更平整, 晶格失配层厚度也更低。Ti中间层促进了金/半界面的互扩散现象, 有利于增加黏附性和降低肖特基势垒, 并且在Ti/Au复合电极与CdZnTe接触的界面上没有观察到氧元素的存在。I-V测试表明Ti/Au复合电极具有更加良好的欧姆特性和更低的肖特基势垒。
接触界面 欧姆特性 晶格失配层 互扩散 CdZnTe CdZnTe Ti/Au Ti/Au contact interface ohmic characteristic lattice mismatch layer interdiffusion 
人工晶体学报
2021, 50(6): 1089
作者单位
摘要
辽宁科技大学材料与冶金学院,鞍山 114051
以纳米η-Al2O3粉和工业铬绿为原料,以摩尔比1∶1配比制备Al2O3-Cr2O3固溶体,以TiO2为烧结助剂,在还原气氛下经1400 ℃、1500 ℃和1600 ℃固 相烧结。研究了TiO2的加入对纳米η-Al2O3制备Al2O3-Cr2O3固溶体的致密度、线收缩率、相组成、晶胞参数、互扩散程度和微观结构的影响。结果表明: TiO2的加入能促进Al2O3-Cr2O3固溶体的致密化;当温度为1600 ℃,TiO2的添加量为2wt%时,试样的体积密度最大为4.57 g?cm-3,线收缩率为19.8%;TiO2 的加入能使Al2O3-Cr2O3固溶体中Al3+和Cr3+的互扩散程度增加;微观结构表明,TiO2的加入能使Al2O3-Cr2O3固溶体晶粒之间结合更紧密,实验温度范围内, 随着TiO2添加量的增加晶粒从沿晶断裂向穿晶断裂转变,只在晶间和晶内存在极少量气孔,当温度为1600 ℃,TiO2的添加量为2wt%时,晶粒大小较均匀,平 均晶粒尺寸约10 μm。
烧结助剂 纳米η-Al2O3 Al2O3-Cr2O3固溶体 互扩散程度 sintering aid nano-η-Al2O3 Al2O3-Cr2O3 solid solution degree of interdiffusion 
人工晶体学报
2020, 49(2): 319
作者单位
摘要
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900 ℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显著提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。
材料 GaAs/AlGaAs 量子阱 互扩散 快速热退火 
激光与光电子学进展
2018, 55(5): 051603
作者单位
摘要
1 半导体超晶格国家重点实验室,中科院半导体研究所,北京,100083
2 Walter Schottky Institut,Technische Universit(a)t München,D-85748,Garching,Germany
本文详细地研究了原始生长和退火处理后的Si/Ge量子点的拉曼光谱.我们观测到了Si/Ge量子点的一系列本征的拉曼振动模以及Ge-Ge模的LO和TO声子峰间4.2cm-1的频率劈裂.通过这些参数, 我们自洽地确定了原始生长的平面直径为20nm和高为2nm的Si/Ge量子点内Ge的平均组分为80%,平均应变为-3.4%.分析清楚地表明了这种小尺寸的Si/Ge量子点内的应变仍遵从双轴应变,并且应变的释放主要由量子点和Si隔离层间Si-Ge原子互扩散决定.
量子点 拉曼光谱 应变 组分 Si-Ge原子互扩散 Quantum dots Raman scattering strain composition Si-Ge intermixing 
光散射学报
2004, 16(3): 203

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