为提高有机电致发光器件(OLEDs)的阴极电子注入效率, 我们设计了新型的阴极杂化修饰层, 其结构为Bphen∶LiF/Al/MoO3, 将其应用到器件ITO/NPB/Alq3/Al中, 参考器件的电子注入层选用传统材料LiF。 实验研究表明, 与传统的阴极修饰层LiF相比, 基于这种杂化结构的阴极修饰层非常有效。 测试了器件的电致发光光谱(EL谱), 其峰值位于534 nm, 发光来自于Alq3, 实验中我们可以观察到明亮的绿色发光。 将其与传统参考器件的EL谱进行对比, 在电流密度40 mA·cm-2下, 两个器件的电致发光光谱是一致的。 在0～100 mA·cm-2范围内, 对器件的EL谱进行了测试。 实验结果表明, 随着电流密度的增加, 器件的发光增强, 但是EL谱的形状和谱峰的位置是固定不变的。 与参考器件对比, 基于杂化修饰层的器件的发光性能更好。 研究表明, 杂化修饰层的最佳参数为Bphen∶LiF(5 nm; 6%)/Al(1 nm)/MoO3(5 nm), 在测试范围内, 器件的最大电流效率和最大功率效率分别为4.28 cd·A-1和2.19 lm·W-1, 相比参考器件提高了25.5%和23.7%。 器件的电流密度-电压特性曲线表明阴极杂化修饰层可以增强电子的注入, 使器件中的载流子更加平衡, 从而提高了器件的发光性能。 从两个角度对器件效率的增强进行了理论方面的论证。 一方面利用阴极杂化修饰层的作用机制来解释。 在HML中, LiF能填充Bphen的电子陷阱, 增强电流的注入, 同时HML也能限制空穴的传输, 减小空穴电流。 另一方面从电荷平衡因子的角度, HML增强了电子的注入, 使得器件的电荷平衡因子增大, 空穴和电子的平衡性更好。 实验研究表明, 阴极杂化修饰层很好地增强了器件的效率。

为了寻找一种更好的FBG(光纤布拉格光栅)中心波长检测的寻峰算法，采用LabVIEW技术和MATLAB技术完成了FBG解调系统中9种寻峰算法的编写和调试，并对各种算法的参数及其优劣进行了分析比较。通过对仿真信号及实测FBG信号的误差分析，结合实验研究和算法仿真，给出了算法误差及相关影响因素。结果表明，最佳寻峰算法为高斯拟合法。