氮化硅薄膜因其耐腐蚀性、 高温稳定性和良好的机械强度等优点, 被广泛用作透射电子显微镜(TEM)、 扫描电子显微镜(SEM)、 原子力显微镜(AFM)、 X射线光电子能谱仪(XPS)、 能量色散X射线光谱仪(EDX)等的表征实验承载体。 特别是, SiN可作为SEM观察时的低扰背景。 然而SiN薄膜较差的荧光性制约了其进一步在荧光器件中的广泛应用。 为了进一步提高SiN薄膜窗口的荧光效率, 实验研究中采用了射频磁控溅射技术在SiNx薄膜衬底上成功制备出系列ZnO薄膜, 并分别进行了氮气氛非原位退火和原位退火处理。 然后利用原子力显微镜(AFM)、 扫描电子显微镜(SEM)、 拉曼光谱仪(Raman)对薄膜的微结构和光致发光(PL)性能进行了研究, 并系统研究了所制备薄膜的发光情况。 实验研究结果表明, 镀膜后荧光强度普遍提升, 退火促进晶粒进一步熟化生长、 结晶性能大幅提升、 晶界减少, 且退火方式对射频磁控溅射法制备的ZnO/SiN复合薄膜的微结构和发光性能有显著影响。 与SiNx薄膜相比, 未退火的ZnO/SiNx薄膜和N2气氛非原位退火的ZnO/SiNx薄膜在380 nm附近的带边本征发射强度分别提高了77倍和340倍以上。 与非原位退火处理的薄膜相比, 原位退火处理的ZnO/SiNx薄膜具有更多的氧空位缺陷, 因此表现出更强的可见光波段PL强度, 在425～600 nm的可见光波段表现出更高的光致发光能力。 这些结果有助于优化氮化硅基ZnO荧光薄膜的制备参数。

稀土磷酸盐在光学材料、 激光材料等许多领域有着广泛的利用, 具有较大的开发前景。 通过水热法制备出不同晶相的LaPO4纳米棒, 重点研究了其在光催化领域的应用, 并对其结构以及紫外漫反射光谱进行了分析讨论。 研究表明水热温度是影响其晶相的一个关键因素, 120 ℃时为六方相, 160 ℃时为六方与单斜混合相, 而温度提高至180 ℃时为单斜相。 不同晶相LaPO4对紫外光吸收没有明显的区别, 且各晶相下均为纳米棒结构。 通过光催化降解亚甲基蓝（MB）来研究不同晶相LaPO4光催化活性区别, 发现单斜相的LaPO4纳米棒具有更高的光催化活性。 研究进一步发现, 单斜相的LaPO4纳米棒可促进荧光量子效率降低, 　提高了光生电子及空穴的分离效率, 因而光催化降解MB活性较高。 此外, 利用活性物种捕获实验, 确定了单斜相LaPO4在光催化降解过程中起主要作用的活性物种为羟基自由基。

采用色母粒法制备含重金属元素的电子信息产品（塑料）的标准样品, 建立了标准样品制备的程序； 利用X射线荧光光谱仪(XRF)定量分析方法, 考察了标准样品测定重金属和溴元素含量的重复性以及不确定度,建立了标准样品工作曲线的测定程序及测定电子信息产品实际样品的方法和程序。 结果表明, 利用该方法制备的标准样品在200～2　000　mg·kg-1浓度范围内, 测量有机物中微量Pb, Hg, Cr, Br元素及在20～200　mg·kg-1浓度范围内测量Cd元素, 均获得了非常好的线性关系, 并经六次检测具有很好地重复性, 并以日本三菱重工公司的电路板ICB288和ICB288G作为实际样品进行测试, 其结果与推荐值一致。